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SCS308AHGC9 发布时间 时间:2025/11/8 8:58:24 查看 阅读:7

SCS308AHGC9 是一款由 Skyworks Solutions, Inc. 生产的高性能硅 PIN 二极管,专为射频(RF)和微波应用中的开关与衰减功能而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有优异的高频性能、低插入损耗和高隔离度,适用于需要快速切换和高可靠性的通信系统。SCS308AHGC9 属于 SOD-323 小型表面贴装封装,尺寸紧凑,适合高密度 PCB 布局,广泛应用于无线基础设施、蜂窝基站、卫星通信、雷达系统以及测试测量设备中。该二极管在高频段表现出良好的线性度和功率处理能力,能够在较高的 RF 功率下稳定工作,同时保持较低的互调失真,确保信号完整性。其结构基于高质量的硅材料,具备良好的热稳定性和长期可靠性,适合在严苛环境条件下运行。此外,该器件符合 RoHS 环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子制造流程。

参数

制造商:Skyworks Solutions, Inc.
  产品系列:SCS
  产品型号:SCS308AHGC9
  二极管类型:PIN 二极管
  工作频率范围:最高可达 6 GHz
  最大反向电压:100 V
  正向电流:100 mA
  反向恢复时间:≤ 1 ns
  电容(在指定偏置下):0.45 pF @ 1 MHz, 1 V
  串联电阻 Rs:≤ 1.5 Ω
  热阻 RθJA:350 °C/W
  封装类型:SOD-323
  安装方式:表面贴装(SMT)
  工作温度范围:-55 °C 至 +150 °C
  存储温度范围:-55 °C 至 +150 °C

特性

SCS308AHGC9 的核心特性之一是其出色的射频开关性能,这得益于其优化的 PIN 结构设计。该二极管在宽频带范围内(从几百 MHz 到 6 GHz)展现出极低的插入损耗和高隔离度,使其成为 RF 开关电路中的理想选择。在正向偏置状态下,它呈现出低串联电阻(Rs ≤ 1.5 Ω),从而最小化信号传输过程中的能量损耗;而在反向偏置时,其结电容非常小(典型值为 0.45 pF @ 1 V),有效提升了高频信号的阻断能力。这种优异的阻抗控制能力使得该器件能够在多频段通信系统中实现高效的信号路由。
  另一个关键特性是其快速的开关响应时间。由于采用了先进的硅工艺技术,SCS308AHGC9 具有极短的载流子寿命,反向恢复时间不超过 1 ns,能够在高速数字控制信号驱动下迅速完成导通与截止状态的切换,满足现代通信系统对高数据速率和动态信号管理的需求。这一特性特别适用于 TDD(时分双工)系统或需要频繁切换发射/接收路径的应用场景。
  此外,该器件具备较强的功率处理能力,在连续波(CW)和脉冲 RF 信号下均能稳定工作。其热阻 RθJA 为 350 °C/W,结合 SOD-323 封装良好的散热设计,可在高温环境下长时间运行而不影响性能。器件还具有良好的互调性能,三阶交调点(IP3)较高,有助于减少非线性失真,提升系统的整体信噪比和动态范围。这些综合性能优势使 SCS308AHGC9 成为高端无线通信、航空航天和国防电子系统中的关键组件。

应用

SCS308AHGC9 主要用于高频射频开关和可变衰减器电路中,广泛部署于各类通信基础设施中。在蜂窝基站系统中,它被用于天线切换、双工器旁路、发射/接收(T/R)模块控制等关键功能,支持 GSM、WCDMA、LTE 和 5G NR 等多种通信标准。由于其宽带匹配特性,该器件也常见于多频段前端模块(FEM),实现不同频段之间的高效切换与信号隔离。
  在卫星通信和地面微波链路设备中,SCS308AHGC9 凭借其高可靠性和稳定性,用于构建远程遥控的 RF 路由网络,确保信号在复杂电磁环境下的准确传输。此外,在雷达和电子战系统中,该二极管可用于快速调制和波束切换,提升系统的反应速度和抗干扰能力。
  测试与测量仪器领域也是其重要应用场景之一。在矢量网络分析仪(VNA)、信号发生器和频谱仪中,SCS308AHGC9 被用作内部校准开关或信号路径选择器,以保证测量精度和重复性。其小型化封装还使其适用于便携式或模块化测试设备的设计。
  除此之外,该器件还可用于工业、科学和医疗(ISM)频段设备、无线传感器网络以及软件定义无线电(SDR)平台,作为可重构射频前端的核心元件,支持灵活的频谱接入和动态资源配置。

替代型号

MACOM MA4P7475-775
  Infineon BAR64-03W
  NXP BAP50-03
  ON Semiconductor MMBD914

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SCS308AHGC9参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥36.81000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.5 V @ 8 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏40 μA @ 650 V
  • 不同?Vr、F 时电容400pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商器件封装TO-220ACP
  • 工作温度 - 结175°C(最大)