时间：2025/7/12 1:50:07
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GR731BW0BB223KW01L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统的效率并降低功耗。
这款芯片特别适用于需要高效率和高可靠性的应用环境，其封装形式和电气特性使得它在高温和高电流条件下仍然保持稳定性能。
型号：GR731BW0BB223KW01L
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：50A
栅极电荷(Qg)：45nC
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
GR731BW0BB223KW01L 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 2.2mΩ，可显著减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高开关速度，得益于优化的栅极电荷设计，能够快速响应高频开关需求。
3. 高额定电流能力，支持高达 50A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
4. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，确保在极端环境下依然保持稳定性。
5. 先进的沟槽式 MOSFET 结构，提供更高的电流密度和更低的热阻。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
GR731BW0BB223KW01L 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC 转换器中的同步整流和高频切换。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. 汽车电子系统中的高效功率管理方案。
GR731BW0BB223KW01H, GR731AW0BB223KW01L
