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SCS210KGC 发布时间 时间:2025/12/25 10:58:22 查看 阅读:18

SCS210KGC是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列(TVS Array),专为高速数据线路和敏感电子元件提供可靠的静电放电(ESD)保护。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有极低的电容特性,适用于现代高速通信接口,能够在不影响信号完整性的前提下有效抑制瞬态过电压。SCS210KGC属于双向TVS二极管阵列,能够对正负方向的瞬态电压脉冲进行钳位,广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统中。
  该器件封装在小型化的SC-70(SOT-363)封装中,节省PCB空间,适合高密度布局设计。其主要功能是将ESD事件中的高压瞬态能量迅速泄放到地,从而保护下游集成电路免受损坏。典型应用包括USB端口、HDMI接口、音频/视频线路以及其他低电压数据线的防护。SCS210KGC符合IEC61000-4-2国际电磁兼容标准,具备高达±15kV空气放电和±8kV接触放电的抗扰度能力,确保在严苛电磁环境中稳定工作。

参数

类型:双向TVS二极管阵列
  通道数:1
  击穿电压(V_BR):12.2V
  反向关断电压(V_RWM):10V
  最大钳位电压(V_C@I_PP):18.2V @ 1A
  峰值脉冲电流(I_PP):1A
  电容典型值(C_t):0.4pF @ 1MHz
  漏电流最大值(I_R):1μA
  ESD耐压(IEC61000-4-2):±15kV(空气放电),±8kV(接触放电)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SC-70(SOT-363)

特性

SCS210KGC的核心特性之一是其超低电容设计,典型值仅为0.4pF,在高频信号传输路径中几乎不会引入额外的信号衰减或失真,因此特别适合用于高速数据接口如USB 2.0、HDMI、DisplayPort等场景。这种低电容特性得益于内部优化的PN结结构与先进的制造工艺,使得器件在保持优异保护性能的同时,最大限度减少对系统信号完整性的干扰。
  另一个显著特点是其快速响应能力。作为基于硅雪崩技术的TVS器件,SCS210KGC能够在皮秒级时间内响应瞬态电压冲击,并迅速进入导通状态,将危险电压钳制在安全范围内。这一特性使其能够有效应对ESD事件中最严峻的瞬时高压脉冲,例如人体模型(HBM)或机器模型(MM)产生的放电现象,防止敏感CMOS电路被击穿或闩锁。
  该器件还具备出色的热稳定性和长期可靠性。其采用的封装材料具有良好的散热性能和机械强度,能够在极端环境条件下持续工作而不发生性能退化。此外,SCS210KGC支持双向保护机制,可同时应对正向和负向瞬态电压,无需额外配置极性判断电路,简化了系统设计复杂度。
  由于其小尺寸SC-70封装,SCS210KGC非常适合用于空间受限的应用场合,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。配合其低漏电流(最大1μA)表现,即使在电池供电设备中也能实现极低功耗运行,延长待机时间。整体而言,该器件结合了高性能、小型化与高可靠性的优点,是现代电子系统中理想的ESD保护解决方案。

应用

SCS210KGC广泛应用于需要高等级静电防护的电子设备中,尤其是在高速数据通信接口领域表现出色。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB OTG端口、耳机插孔、触摸屏信号线以及摄像头模块的数据线路保护。由于这些接口频繁暴露于外部环境,极易受到用户操作带来的静电放电影响,因此必须配备高效的TVS保护器件以提升产品耐用性。
  在消费类视听设备中,如智能电视、机顶盒和音响系统,SCS210KGC可用于HDMI、DisplayPort、SD卡槽等高速差分信号线的ESD防护,保障高清视频与音频信号的稳定传输。其低电容特性确保不会引起眼图闭合或误码率上升,满足严格的信号完整性要求。
  工业控制与自动化设备也常采用该器件来保护RS-232、RS-485通信端口、传感器输入通道等关键节点,避免因现场静电或电快速瞬变(EFT)导致系统异常重启或数据错误。此外,在医疗电子、汽车信息娱乐系统及物联网终端中,SCS210KGC同样发挥着重要作用,为精密电路提供可靠的安全屏障。
  由于符合RoHS和无卤素指令,SCS210KGC适用于绿色环保产品的设计需求,且支持回流焊工艺,便于大规模自动化生产。其综合性能使其成为各类电子系统前端防护的优选器件。

替代型号

RCLAMP0504P
  SP1006-01UTG

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SCS210KGC参数

  • 现有数量587现货
  • 价格1 : ¥67.89000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.6 V @ 10 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 1200 V
  • 不同?Vr、F 时电容550pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商器件封装TO-220AC
  • 工作温度 - 结175°C(最大)