GA1206Y273KBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源转换和电机驱动场景。其封装形式和电气性能确保了在严苛环境下的稳定运行。
型号:GA1206Y273KBBBR31G
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):120V
最大连续漏极电流(Id):65A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
栅极电荷(Qg):98nC
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
GA1206Y273KBBBR31G 的主要特性包括低导通电阻,可显著降低导通损耗,提高整体效率。此外,该芯片具备快速开关能力,适合高频操作,能够减少开关损耗。
其优异的热性能允许更高的功率密度,同时增强了系统可靠性。
内置的ESD保护电路提高了器件的抗静电能力,减少了因静电引起的损坏风险。
此外,该芯片还支持严格的短路保护,并能在极端条件下保持稳定性。
这款功率MOSFET广泛应用于各种领域,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)、太阳能逆变器、电动车辆驱动器以及工业电机控制等场景。
由于其出色的性能,也常用于需要高效率和高可靠性的电信基础设施和服务器电源中。
GA1206Y272KBBBR31G
IRFP260N
FDP16N120
STP100N12F7