时间：2025/6/3 15:19:48
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GA1206Y273KBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电源转换和电机驱动场景。其封装形式和电气性能确保了在严苛环境下的稳定运行。
型号：GA1206Y273KBBBR31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：120V
最大连续漏极电流(Id)：65A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：98nC
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247-3
GA1206Y273KBBBR31G 的主要特性包括低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高整体效率。此外，该芯片具备快速开关能力，适合高频操作，能够减少开关损耗。
其优异的热性能允许更高的功率密度，同时增强了系统可靠性。
内置的ESD保护电路提高了器件的抗静电能力，减少了因静电引起的损坏风险。
此外，该芯片还支持严格的短路保护，并能在极端条件下保持稳定性。
这款功率MOSFET广泛应用于各种领域，例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)、太阳能逆变器、电动车辆驱动器以及工业电机控制等场景。
由于其出色的性能，也常用于需要高效率和高可靠性的电信基础设施和服务器电源中。
GA1206Y272KBBBR31G
IRFP260N
FDP16N120
STP100N12F7
