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GA1206Y273KBBBR31G 发布时间 时间:2025/6/3 15:19:48 查看 阅读:7

GA1206Y273KBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、高频开关应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源转换和电机驱动场景。其封装形式和电气性能确保了在严苛环境下的稳定运行。

参数

型号:GA1206Y273KBBBR31G
  类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):120V
  最大连续漏极电流(Id):65A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷(Qg):98nC
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3

特性

GA1206Y273KBBBR31G 的主要特性包括低导通电阻,可显著降低导通损耗,提高整体效率。此外,该芯片具备快速开关能力,适合高频操作,能够减少开关损耗。
  其优异的热性能允许更高的功率密度,同时增强了系统可靠性。
  内置的ESD保护电路提高了器件的抗静电能力,减少了因静电引起的损坏风险。
  此外,该芯片还支持严格的短路保护,并能在极端条件下保持稳定性。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于各种领域,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)、太阳能逆变器、电动车辆驱动器以及工业电机控制等场景。
  由于其出色的性能,也常用于需要高效率和高可靠性的电信基础设施和服务器电源中。

替代型号

GA1206Y272KBBBR31G
  IRFP260N
  FDP16N120
  STP100N12F7

GA1206Y273KBBBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-