参数名：电容值
　　参数值：180pF
　　参数名：容差
　　参数值：±5%
　　参数名：额定电压
　　参数值：50V
　　参数名：封装尺寸
　　参数值：2012（公制）
　　参数名：温度系数
　　参数值：C0G/NP0

SCL-2M2012-181JT 具有多种优良的电气和机械特性，适用于广泛的电子应用。其主要特性包括：
　　1. 高稳定性：该电容器采用C0G/NP0介质材料，具有极低的温度系数，确保电容值在宽温度范围内保持稳定。这种特性使其非常适合用于高精度和高稳定性的电路中，如射频（RF）电路和振荡器。
　　2. 低损耗：C0G/NP0材料的另一个优势是其极低的介电损耗，使得该电容器在高频应用中表现出色，减少了信号损失和发热。
　　3. 高可靠性：多层陶瓷结构提供了良好的机械强度和耐久性，能够在各种环境条件下稳定工作。此外，SMD封装形式减少了对机械应力的敏感性，提高了整体可靠性。
　　4. 小型化设计：该电容器采用了2012（公制）封装尺寸，适合高密度PCB布局，减少了电路板的空间占用，同时保持了良好的电气性能。
　　5. 广泛的工作温度范围：SCL-2M2012-181JT能够在-55°C至+125°C的温度范围内正常工作，适用于各种严苛的环境条件。

SCL-2M2012-181JT 多层陶瓷电容器广泛应用于多个领域。在消费电子领域，它被用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的滤波和去耦电路。在通信设备中，由于其高稳定性和低损耗特性，它常用于射频（RF）电路和信号处理模块。此外，在汽车电子系统中，如车载导航、娱乐系统和传感器模块，该电容器能够提供可靠的性能。工业控制设备中也广泛使用该型号，用于电源管理和信号调节电路。最后，在医疗设备中，由于其高可靠性和稳定性，它被用于关键的电子组件中。

C0805C181J5RACTU, CL21A181JBQNNNE