SCK13074MTY 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于电源管理、负载开关以及电机驱动等场景。该器件采用了先进的制造工艺,在保持低导通电阻的同时,具备出色的开关性能和可靠性。
这款 MOSFET 的封装形式为 DFN5x6-8L,具有小尺寸、高散热效率的特点,非常适合对空间要求较高的设计。
最大漏源电压:40V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:7.4A
导通电阻(典型值):8mΩ
栅极电荷:10nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功率损耗,提升系统效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
3. 小型化的封装设计,有助于节省 PCB 空间。
4. 良好的热稳定性,能够在宽温范围内可靠运行。
5. 内置保护机制,提供更高的安全性与耐用性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代化电路中。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式电子设备的电源管理模块。
3. USB 充电器及适配器中的功率控制。
4. LED 驱动器和小型电机驱动电路。
5. 各类电池供电系统的高效开关元件。
6. 数据通信设备中的信号切换功能。
SCK13073MTR、IRF7413TRPBF、AO3402A