时间：2025/9/20 21:10:24
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SCH2601-TL-E是一款由SiC（碳化硅）技术制造的高性能肖特基二极管，专为高效率、高频率电源转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽结构设计，有效降低了正向导通压降（Vf），同时保持了优异的反向恢复特性，使其在开关电源、DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路以及太阳能逆变器等应用中表现出色。SCH2601-TL-E属于650V耐压等级的产品，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于高温环境下的长期运行。其封装形式通常为TO-220或类似通孔/表面贴装兼容的封装，便于散热管理和自动化生产装配。
该器件由United SiC（现已被Qorvo收购）推出，代表了宽禁带半导体在电力电子领域中的先进应用。相较于传统的硅基二极管，SCH2601-TL-E具有更低的能量损耗、更快的开关速度和更高的工作温度范围，有助于提升系统整体能效并减小被动元件体积。此外，该型号符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品的需求。由于其出色的动态性能和鲁棒性，SCH2601-TL-E广泛应用于工业电源、通信电源、电动汽车充电系统及可再生能源系统中。
类型：碳化硅肖特基二极管
配置：单芯片
反向电压（VR）：650V
平均正向电流（IF(AV)）：2A
峰值脉冲正向电流（IFSM）：50A
正向压降（VF）：1.7V（典型值，@ IF = 2A）
反向漏电流（IR）：250μA（最大值，@ VR = 650V, 25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AC
安装类型：通孔
热阻（RθJC）：25°C/W
反向恢复时间（trr）：≤ 15ns（典型值）
SCH2601-TL-E的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越电学表现。首先，该器件实现了极低的正向导通压降与几乎无反向恢复电荷的结合，显著减少了开关过程中的能量损耗，尤其是在高频工作条件下，这种优势更加明显。这使得它非常适合用于高效率电源拓扑如LLC谐振转换器、有源钳位反激式变换器以及双向DC-DC变换器等场景。
其次，由于碳化硅材料具有更高的临界击穿电场强度，SCH2601-TL-E能够在650V额定电压下实现更薄的漂移层结构，从而降低导通电阻并提高电流密度。这一特性不仅提升了器件的功率处理能力，还增强了系统的功率密度。与此同时，该器件具备非常低的温度依赖性，即随着结温升高，其正向压降变化较小，确保了在宽温度范围内依然保持稳定的电气性能，避免了传统硅二极管常见的热失控问题。
另一个关键特性是其出色的抗浪涌能力和长期可靠性。SCH2601-TL-E能够承受高达50A的非重复峰值电流冲击，适用于存在瞬态过流风险的应用场合。此外，其高达+175°C的最大结温允许器件在恶劣热环境中持续运行，减少对外部冷却系统的依赖，进而降低系统成本和复杂度。该器件还展现出极佳的抗辐射能力和长期稳定性，适合工业级和部分严苛环境下的使用需求。
最后，SCH2601-TL-E采用了成熟的TO-220封装技术，在保证良好散热性能的同时，兼容现有的自动化贴装和焊接流程，有利于快速导入量产。整体而言，这款碳化硅二极管通过材料创新与结构优化，实现了高效、可靠、紧凑的功率解决方案，是替代传统快恢复二极管和硅基PIN二极管的理想选择。
SCH2601-TL-E主要应用于各类需要高效率和高频率工作的电力电子系统中。典型应用场景包括服务器电源、电信整流器、工业开关电源（SMPS）以及光伏逆变器中的输出整流环节。在这些系统中，其低导通损耗和近乎零的反向恢复特性可大幅降低开关节点的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而简化滤波设计并提升整体转换效率。
在功率因数校正（PFC）电路中，尤其是连续导通模式（CCM）PFC拓扑中，SCH2601-TL-E常被用作升压二极管，以应对高电压应力和高频开关带来的挑战。相比传统硅二极管，它可以显著减少“尾电流”效应导致的开关损耗，并改善轻载效率，满足80 PLUS钛金等超高能效标准的要求。
此外，该器件也适用于电动汽车车载充电机（OBC）、直流充电桩模块以及UPS不间断电源系统中，承担能量回馈路径或隔离型DC-DC变换器中的次级整流功能。其高温工作能力和高可靠性保障了系统在长时间运行下的稳定性。
在新能源领域，SCH2601-TL-E可用于微型逆变器和储能系统的功率转换模块，帮助实现更高的系统效率和更小的散热器尺寸。由于其快速响应特性和低寄生参数，也非常适合用于高频软开关拓扑结构，例如ZVS/ZCS转换器，进一步推动电源系统向小型化、轻量化方向发展。
UF3C065040K,FOD3606-65
