时间：2025/12/26 0:40:19
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SCDS6D38NT470是一款由Vishay Semiconductor生产的表面贴装硅碳化物（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频电力电子应用设计。该器件采用先进的碳化铁技术，具备出色的开关性能和热稳定性，适用于要求严苛的功率转换系统。SCDS6D38NT470的额定电压为650V，平均正向整流电流为3.8A，反向恢复时间极短，几乎无反向恢复电荷，从而显著降低开关损耗并提升系统整体效率。其封装形式为TO-252（DPAK），便于在PCB上进行自动化装配，并提供良好的散热性能。该二极管广泛应用于服务器电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、工业电机驱动以及PFC（功率因数校正）电路中。由于采用SiC材料，该器件能够在更高的结温下工作（最高可达175°C），同时保持稳定的电气特性，相较于传统硅基二极管，在高温环境下的漏电流更小，可靠性更高。此外，SCDS6D38NT470符合RoHS环保标准，且具备优异的抗浪涌能力，能够承受瞬时过载而不损坏，适合用于对可靠性和能效有高要求的应用场景。
型号：SCDS6D38NT470
制造商：Vishay Semiconductor
产品类型：肖特基二极管
技术类型：碳化硅（SiC）
反向重复峰值电压（VRRM）：650 V
平均正向整流电流（IF(AV)）：3.8 A
正向压降典型值（VF @ 3.8A, TJ=25°C）：1.65 V
最大结温（TJ max）：175 °C
反向恢复时间（trr）：≤ 15 ns
反向恢复电荷（Qrr）：≈ 0 nC
封装/外壳：TO-252 (DPAK)
安装方式：表面贴装（SMD）
RthJC（热阻，结到壳）：约 5.0 °C/W
工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
SCDS6D38NT470所采用的碳化硅（SiC）半导体材料赋予了其卓越的电学与热学性能。与传统的硅基肖特基二极管相比，SiC材料具有更宽的禁带宽度（约为3.2eV），这使得器件在高温条件下仍能维持较低的反向漏电流，有效提升了系统的长期运行可靠性。其正向导通压降虽略高于部分低压硅二极管，但在650V等级的高压应用中表现优异，尤其是在满载或高频率工况下，能够实现更低的总功耗。由于该器件没有少子存储效应，因此不存在典型的“反向恢复”现象，即当从正向导通切换到反向阻断状态时不会产生大量反向恢复电流尖峰，从而极大减少了EMI干扰和开关器件（如MOSFET或IGBT）的应力，有助于提高整个电源系统的电磁兼容性与效率。
该二极管具备优良的热传导性能，TO-252封装设计允许通过底部焊接到PCB上的大面积铜箔实现高效散热，确保即使在连续高负载条件下也能维持安全的工作温度。其高达175°C的最大结温使其非常适合用于自然冷却或风冷受限的紧凑型电源模块中。此外，该器件对电压瞬变和浪涌电流具有较强的耐受能力，符合IEC 60127等安全标准的相关测试要求。在实际应用中，它可以显著减少散热器尺寸甚至省去额外冷却装置，从而降低系统成本和体积。得益于其表面贴装结构，SCDS6D38NT470支持回流焊接工艺，适用于现代自动化生产线，提高了制造效率和一致性。总体而言，这款SiC肖特基二极管是追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子系统的理想选择。
SCDS6D38NT470广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效能量转换和高频操作的场合。典型应用包括离线式AC-DC电源中的输出整流或PFC升压级续流二极管，例如通信基站电源、数据中心服务器PSU以及工业级电源模块。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于DC-DC升压段以提升整体转换效率，特别是在部分负载或夜间低辐照条件下的反向损耗控制方面优势明显。此外，它也被用于电动汽车车载充电机（OBC）、直流快充桩以及UPS不间断电源系统中，作为关键的功率整流元件，帮助实现更高的系统效率和更小的散热需求。在电机驱动领域，SCDS6D38NT470常被用作IGBT或SiC MOSFET的续流二极管，凭借其零反向恢复特性，可大幅降低换流过程中的动态损耗和电压振荡，提升驱动器的响应速度与稳定性。其高结温和高可靠性也使其适用于恶劣环境下的工业控制系统和铁路牵引电源。总之，凡是对能效、功率密度和长期稳定性有较高要求的电力电子拓扑结构，如Boost、Flyback、LLC谐振变换器及全桥整流电路，均可优先考虑使用该型号替代传统硅二极管以获得性能提升。
SCH6D38A-E3/61T
SDT3S60C
