时间：2025/12/26 2:31:50
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SCDS6D38NT331是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅PIN二极管，专为高频和高速开关应用设计。该器件采用SOT-223封装，具有优异的射频性能和热稳定性，适用于需要高效信号控制和功率处理能力的电路环境。SCDS6D38NT331在无线通信、射频识别（RFID）、移动设备前端模块以及工业射频系统中广泛应用。其结构基于高性能的硅外延工艺制造，确保了低电容、快速开关速度以及高可靠性。该二极管能够在宽温度范围内稳定工作，适合严苛的工业与消费类应用场景。此外，SOT-223封装形式提供了良好的散热性能，使其能够承受一定的连续正向电流负载，同时便于自动化贴片生产，满足现代电子制造对小型化和高集成度的需求。
产品类型：PIN二极管
封装/外壳：SOT-223
是否无铅：是
是否符合RoHS规范：是
反向耐压（Vr）：70 V
平均整流电流（Io）：200 mA
正向电压（Vf）：1.1 V @ 10 mA
反向漏电流（Ir）：5 μA @ 50 V
结电容（Cj）：0.4 pF @ 5 V
串联电阻（Rs）：1.2 Ω
最大功耗（Pd）：1.5 W
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
反向恢复时间（trr）：10 ns
SCDS6D38NT331具备卓越的高频响应能力，这主要得益于其极低的结电容（典型值为0.4 pF，在5V偏置下测量）和较低的串联电阻（约为1.2Ω），使得该器件在GHz级别的射频信号路径中表现出色。这种低电容特性显著减少了信号传输过程中的寄生效应，提高了系统的带宽和效率，特别适用于天线调谐、射频开关和可变衰减器等应用。其快速的反向恢复时间（trr为10ns）保证了在高速切换操作中的精确控制，避免了因延迟引起的信号失真或串扰问题。
该PIN二极管采用硅外延技术制造，确保了器件的一致性和长期可靠性。在正向导通状态下，它能承载高达200mA的平均整流电流，并在1.1V左右的正向压降下运行，体现出较高的能效水平。同时，其最大功耗可达1.5W，结合SOT-223封装良好的热传导性能，能够在较高功率条件下维持稳定工作。器件的反向击穿电压为70V，反向漏电流在50V时仅为5μA，展现出优良的阻断能力和低静态损耗，有助于提升整体系统能效。
SOT-223封装不仅节省空间，还支持回流焊工艺，适应现代PCB表面贴装生产线的要求。此封装形式包含一个暴露的散热焊盘，进一步增强了热管理能力，使器件即使在持续高负载下也能保持较低的工作温度。此外，该器件符合RoHS指令并采用无铅工艺制造，满足环保法规要求，适用于全球市场的电子产品设计。由于其优异的电气特性和机械兼容性，SCDS6D38NT331成为许多高频模拟和射频设计工程师的首选元件之一。
广泛应用于无线通信设备中的射频开关和天线调谐电路；用于移动电话、智能手机和平板电脑的前端模块以实现频段切换；在射频识别（RFID）读写器中作为高速开关元件；适用于工业射频加热控制系统和测试测量仪器中的信号路由选择；也可用于可编程增益放大器和射频衰减器电路中进行动态调节；适合需要低插入损耗和高隔离度的微波和毫米波前端设计；在汽车雷达和车联网（V2X）通信模块中提供可靠的射频路径控制功能。
BAR50-03W, PMEG3010ETA, BAP64-04W
