时间：2025/12/26 2:12:27
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SCDS6D38MT680是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管，采用双共阴极配置，专为高频开关电源应用设计。该器件基于Vishay先进的TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）技术，具有极低的正向压降和超快的反向恢复特性，能够显著提升电源转换效率并降低系统功耗。SCDS6D38MT680封装于紧凑的PowerPAK? SC-70（SOT-723）封装中，尺寸仅为2 mm × 1.25 mm × 0.95 mm，适用于对空间要求极为严苛的便携式电子设备。其额定工作温度范围为-55°C至+150°C，满足工业级和汽车级应用的可靠性需求。该二极管广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、续流与箝位电路以及便携式消费类电子产品中。由于其优异的热性能和电流处理能力，即使在高负载条件下也能保持稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规认证，适用于汽车电子系统中的关键电源管理模块。
型号：SCDS6D38MT680
制造商：Vishay Semiconductors
封装类型：PowerPAK SC-70 (SOT-723)
二极管配置：双共阴极
最大重复峰值反向电压（VRRM）：60 V
最大直流阻断电压（VR）：60 V
平均整流电流（IF(AV)）：6 A（每芯片）
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：40 A
最大正向压降（VF）：0.57 V @ 6 A, TJ = 25°C
最大反向漏电流（IR）：0.1 mA @ 60 V, TJ = 25°C；1.0 mA @ 60 V, TJ = 125°C
反向恢复时间（trr）：< 5 ns
工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
SCDS6D38MT680采用Vishay专利的TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）技术，这种结构通过在硅基底上构建沟槽MOS势垒来优化电场分布，从而显著降低正向导通损耗并提高反向击穿电压稳定性。与传统肖特基二极管相比，TMBS技术有效抑制了高温下的漏电流增长，提升了器件在恶劣环境下的可靠性。该器件的最大正向压降仅为0.57V，在6A大电流下仍能保持较低的功耗，有助于提高整体电源效率并减少散热设计负担。其超快反向恢复时间小于5ns，几乎无反向恢复电荷，避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的能量损耗和电磁干扰问题，特别适合用于高频DC-DC变换器中的续流或同步整流应用。
该器件采用PowerPAK SC-70小型化封装，具备优异的热传导性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB实现高效散热，确保长时间高负载运行时的热稳定性。双共阴极配置允许两个独立的肖特基单元共享同一个阴极连接，简化了PCB布局布线，尤其适用于多相 buck 转换器或需要并联使用的场景。此外，该封装支持回流焊工艺，兼容自动化贴片生产线，适合大规模制造。产品通过AEC-Q101车规认证，表明其在温度循环、湿度、机械振动等严苛测试条件下均表现稳定，可广泛应用于车载信息娱乐系统、ADAS电源模块及LED照明驱动等汽车电子领域。同时，该器件符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，满足现代绿色电子产品设计要求。
SCDS6D38MT680适用于多种高效率、高频开关电源系统，尤其是在空间受限且对热性能要求较高的应用场景中表现出色。典型应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的DC-DC降压转换器，作为同步整流二极管以替代传统的MOSFET驱动方案，进一步提升轻载效率。在通信设备中，可用于基站电源模块、路由器和交换机的中间总线转换器，提供快速响应和低损耗的续流路径。此外，该器件也广泛应用于工业自动化控制系统、嵌入式工控主板以及小型UPS电源中，承担能量回馈和电压箝位功能。由于其通过AEC-Q101认证，因此在汽车电子领域同样具有重要用途，例如车载充电器（OBC）、DC-DC转换模块、电池管理系统（BMS）以及LED前大灯驱动电路中，能够在宽温范围内稳定工作，确保行车安全与系统可靠性。其小型封装特性还使其成为可穿戴设备和物联网终端设备的理想选择，在这些设备中，体积和能效是关键设计考量因素。
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"SDM60U3L",
"SK36",
"MBR630",
"SS56"
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