产品类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双阳极共阴极（Dual Anode Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：47 V
　　平均整流电流（IF(AV)）：6 A（每条支路）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：75 A
　　最大正向压降（VF）：0.57 V（典型值，@ IF = 3 A, TJ = 25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：1.0 mA（@ VR = 47 V, TJ = 25°C），随温度升高显著增加
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PowerDI?5C（SMT）
　　安装方式：表面贴装
　　热阻结到外壳（RθJC）：1.7 °C/W（典型值）
　　热阻结到环境（RθJA）：40 °C/W（典型，PCB优化条件下）
　　引脚数：3
　　极性：双阳极共阴极

SCDS6D28NT4R7的核心特性之一是其低正向导通压降，在典型工作条件下（IF = 3A, TJ = 25°C），VF仅为0.57V左右，显著低于传统硅PN结二极管，从而大幅降低导通损耗，提高系统整体能效。这一特性特别适用于高频DC-DC降压或升压转换器中的续流与整流环节，能够有效减少发热，延长电池寿命并提升电源效率。同时，由于肖特基二极管本身具有极短的反向恢复时间（trr < 1ns），几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），因此在高速开关应用中不会产生额外的开关损耗或电磁干扰（EMI），避免了因反向恢复引起的电压尖峰问题，提升了系统的稳定性与可靠性。
　　另一个重要特性是其优异的热管理能力。器件采用PowerDI?5C封装，底部带有大面积金属散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至内层或底层地平面，实现良好的散热效果。热阻结到外壳（RθJC）仅为1.7°C/W，表明其具备出色的内部热传导路径。即使在满载连续工作条件下，只要PCB布局合理（如使用至少1平方英寸的铜箔散热区），即可将结温控制在安全范围内。此外，该器件支持高达75A的非重复浪涌电流，说明其对瞬态过流事件（如启动冲击或负载突变）具有较强的耐受能力，增强了系统鲁棒性。
　　该二极管阵列还具备良好的电气隔离性和一致性。两个阳极支路在芯片上对称分布，确保了参数匹配度高，适合用于双通道同步整流或互补驱动电路中。其反向漏电流在常温下较低（1mA @ 47V），但在高温环境中会明显上升，设计时需注意热失控风险，尤其是在高环境温度或多并联应用中应加强散热措施。总体来看，SCDS6D28NT4R7结合了高性能、小尺寸与高可靠性，是一款面向现代高密度电源设计的理想选择。

SCDS6D28NT4R7主要应用于各类中低电压、大电流的开关电源系统中，尤其适合作为同步整流或自由轮转（flyback）二极管使用。在DC-DC转换器中，特别是在多相 buck 转换器架构中，它可以作为下管体二极管提供低损耗续流路径，显著提升轻载和重载下的转换效率。由于其快速响应特性和无反向恢复电荷的特点，该器件非常适合用于高频操作环境（例如工作频率超过500kHz的应用），能有效抑制开关噪声和电压振铃现象，改善整体电磁兼容性（EMC）表现。
　　在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，该二极管常用于电池充放电回路、电压调节模块（VRM）以及LDO旁路保护电路中，起到防止反向电流倒灌的作用。此外，在LED背光驱动电路中，也可用于电流箝位和防逆接保护，保障光源稳定工作。
　　通信基础设施设备（如基站电源、光模块供电单元）也广泛采用此类高性能肖特基二极管以满足高可用性和长期运行稳定性的需求。工业控制系统、服务器电源、USB PD快充电源适配器等领域同样依赖其紧凑封装和高效整流能力来实现小型化设计。值得一提的是，由于其双阳极共阴极结构，还可用于H桥或全桥拓扑中的钳位保护网络，吸收感性负载产生的反电动势，保护主开关器件（如MOSFET）免受过压损坏。总之，凡是对效率、体积和热性能有较高要求的电源应用场景，SCDS6D28NT4R7均是一个可靠且高效的解决方案。

[
　　 "SDM6047S3",
　　 "MBRS645T3G",
　　 "SK34A",
　　 "SS54",
　　 "VS-SBR6H47PbF"
　　]