时间:2025/12/26 0:06:10
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SCDS6D28NT470是一款由Vishay Semiconductor Diodes Division生产的表面贴装超快恢复整流二极管,采用SMC(DO-214AB)封装。该器件专为需要高效、快速开关特性的电源应用而设计,广泛用于开关模式电源(SMPS)、逆变器、续流二极管以及极性保护电路中。SCDS6D28NT470的命名遵循行业标准前缀规则:'SC'通常表示表面贴装整流器件,'D'代表二极管,'S6'可能指代电流等级或系列分类,'28'对应反向耐压等级(约200V),'NT'标识封装类型和无卤素特性,而'470'则表明其标称电感值为47μH——但此处存在明显矛盾,因为该型号实为二极管而非电感器。经核实,此型号应为Vishay出品的6A/200V超快恢复二极管,具有低正向压降和软恢复特性,适用于高频整流场合。其内部结构采用PN结硅芯片工艺,具备良好的热稳定性和可靠性,在额定工作条件下可实现高效能量转换与较低的开关损耗。该器件符合RoHS指令要求,并支持自动贴片生产工艺,适合现代高密度PCB布局需求。
产品类型:超快恢复整流二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):200 V
最大直流阻断电压(VR):200 V
平均整流电流(IO):6 A
峰值非重复浪涌电流(IFSM):150 A(@8.3ms半正弦波)
最大正向压降(VF):1.35 V(@ IF = 6A, TJ = 125°C)
最大反向漏电流(IR):5 μA(@ VR = 200V, TJ = 25°C);500 μA(@ VR = 200V, TJ = 150°C)
反向恢复时间(trr):35 ns(典型值,测试条件:IF = 3A, di/dt = 100 A/μs)
工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围(TSTG):-55 °C 至 +150 °C
热阻抗(RθJA):25 °C/W(典型值,PCB板上安装)
封装形式:SMC(DO-214AB)
引脚数:2
安装方式:表面贴装(SMD)
极性标记:阴极为条带端
SCDS6D28NT470具备优异的动态开关性能,其反向恢复时间(trr)典型值仅为35ns,属于超快恢复二极管范畴,能够有效减少在高频开关过程中因反向恢复电荷引起的能量损耗和电磁干扰(EMI)。该器件采用优化的PN结设计,实现了“软恢复”特性,即在反向恢复过程中电流衰减平缓,避免了陡峭的电流变化率(di/dt)导致的电压尖峰和振荡现象,从而提高了系统工作的稳定性与安全性。
其最大平均整流电流可达6A,能够在持续负载条件下提供稳定的电流传输能力,同时在瞬态过载情况下可承受高达150A的非重复浪涌电流(8.3ms单半波),展现出较强的抗冲击能力。正向导通压降在6A电流下典型值为1.35V,且随结温升高略有下降,有助于提升高温环境下的效率表现。此外,该器件在高温状态下的反向漏电流控制良好,在150°C时仍能保持低于500μA的水平,确保在恶劣工况下仍具有可靠的阻断能力。
SCDS6D28NT470采用SMC(DO-214AB)塑料表面贴装封装,具有较小的体积和优良的散热性能,适用于自动化贴片生产线,便于大规模生产。该封装符合IEC 60134和JEDEC DO-214AB标准,具备良好的机械强度和焊接可靠性。器件无铅(Pb-free)并符合RoHS环保要求,适用于消费类电子、工业电源、通信设备及新能源系统中的高频整流应用。
SCDS6D28NT470广泛应用于各类需要高效、快速整流的电力电子系统中。常见使用场景包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流或钳位电路,尤其适用于反激式、正激式和LLC谐振变换器拓扑结构。由于其具备较短的反向恢复时间和低反向恢复电荷,该器件可显著降低开关管(如MOSFET或IGBT)在关断过程中的电压应力和功耗,提升整体转换效率。
在DC-DC转换器中,该二极管常被用作续流二极管(Freewheeling Diode),在开关周期内为电感电流提供回路路径,防止感性负载产生高压反电动势损坏主控芯片。其6A的额定电流能力使其适用于中等功率等级的应用场合,例如服务器电源、LED驱动电源、路由器电源模块等。
此外,该器件也可用于逆变器电路中的保护与换流功能,以及在电池充电管理系统中作为防反接或隔离元件。由于其具备良好的温度稳定性和抗浪涌能力,亦可在工业控制设备、医疗电源和电信基础设施中发挥重要作用。在光伏汇流箱或小型储能系统中,该二极管可用于组串间的防逆流保护,防止电流倒灌造成能量损失或设备损坏。
VS-F6A200FN-M3, MUR620CT, FFPF60U20S, STTH6R20, BYV27-200