类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：28V
　　平均整流电流（Io）：6A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：75A（单个半周期，8.3ms正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值0.52V，最大值0.58V（在6A，Tc=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大10μA（在28V，Tc=25°C条件下）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJC）：约3.0°C/W
　　反向恢复时间（trr）：典型值≤30ns

SCDS6D28NT3R3采用Vishay专利的TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）技术，这一创新结构通过在硅片上构建精细的沟槽MOS结构，形成一种复合势垒机制，显著改善了传统肖特基二极管在高温下漏电流急剧增加的问题。传统肖特基二极管由于金属-半导体接触面积大，在高温或高反向偏压下容易产生较大的反向漏电流，影响系统效率并可能导致热失控。而TMBS技术通过引入MOS电容效应，调节势垒高度，有效抑制了漏电流的上升，使器件在高达150°C的结温下仍能保持稳定的电气性能。这种设计不仅提升了可靠性，还允许器件在更高环境温度下运行，减少了对额外散热措施的依赖。
　　该器件的正向压降非常低，在6A的工作电流下，典型值仅为0.52V，最大不超过0.58V。低VF意味着更小的导通损耗，对于高频率开关电源如同步降压变换器尤为重要。在这些应用中，二极管通常作为续流或自举二极管使用，其导通时间虽短但频繁，累积的功率损耗不容忽视。SCDS6D28NT3R3的低VF特性有助于提升整体转换效率，降低温升，延长系统寿命。此外，其快速的反向恢复时间（trr ≤ 30ns）几乎接近理想开关特性，极大减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适合用于高频DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　封装方面，SCDS6D28NT3R3采用标准SMA（DO-214AC）表面贴装封装，尺寸紧凑，便于自动化贴片生产，适用于大规模制造。其热阻RθJC约为3.0°C/W，表明从结到外壳的热传导效率较高，配合适当的PCB铜箔散热设计，可有效将热量传导至外部环境，确保长期稳定运行。该器件还具备良好的抗浪涌能力，峰值正向浪涌电流可达75A，能够承受瞬态过载或启动冲击，增强了系统的鲁棒性。综合来看，SCDS6D28NT3R3凭借其先进的TMBS技术、优异的电学性能和可靠的封装设计，成为中等电压、大电流开关电源应用中的高性能解决方案。

SCDS6D28NT3R3广泛应用于各类需要高效、快速开关响应的电源系统中。在DC-DC转换器中，尤其是同步整流型降压（Buck）变换器中，它常被用作续流二极管或自举二极管，利用其低正向压降和快速恢复特性来减少导通损耗和开关损耗，从而提高整体电源效率。由于其28V的反向电压额定值适中，非常适合用于12V或24V输入的工业电源、通信设备电源模块以及嵌入式系统供电单元。
　　在便携式电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和移动基站设备中，该器件可用于电池管理系统中的反向保护电路或电压箝位电路，防止因误接或瞬态电压导致的损坏。其表面贴装封装形式有利于实现小型化设计，满足消费类电子对轻薄化的需求。此外，在LED驱动电源中，SCDS6D28NT3R3也可作为续流路径的一部分，确保电流连续性并抑制电压尖峰，提升LED光源的稳定性和寿命。
　　在逆变器和电机驱动电路中，该二极管可用于IGBT或MOSFET的并联续流支路，提供快速泄放路径，防止感性负载产生的反电动势损坏主开关器件。其高达75A的浪涌电流能力和150°C的最大工作结温使其能够在恶劣工况下可靠运行。此外，该器件也适用于服务器电源、电信整流器、UPS不间断电源等高可靠性应用场景。得益于其符合RoHS和无卤素的要求，SCDS6D28NT3R3也广泛用于环保要求严格的出口型电子产品和工业控制系统中，是现代绿色能源和高效电源架构中的关键组件之一。

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　　 "SDM65C28U-TF",
　　 "MBRS6H28T3G",
　　 "B340LB-13-F",
　　 "SS6H28",
　　 "SK36"
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