型号：SCDS5D28NT470
　　制造商：Vishay Semiconductor
　　二极管类型：肖特基二极管
　　技术：硅碳化物（SiC）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：280V
　　平均整流电流（IO）：5A
　　正向压降（VF）：典型值1.65V（在5A时）
　　最大反向漏电流（IR）：200μA（在125°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装/外壳：D-Pak（TO-252AA）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　反向恢复时间（trr）：无（理想肖特基行为）
　　热阻（RθJC）：3.0°C/W
　　浪涌电流能力（IFSM）：80A（单个半正弦波，8.3ms）

SCDS5D28NT470采用硅碳化物（SiC）材料制造，这使得它相较于传统硅基肖特基二极管具有更高的热导率和更宽的禁带宽度，从而能够在更高的温度下可靠运行。其最显著的特性之一是零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这意味着在高频开关操作中不会产生反向恢复电流尖峰，极大减少了开关损耗和电磁干扰（EMI），提升了系统的能效和稳定性。该器件在高温环境下的反向漏电流控制良好，在125°C时最大仅为200μA，确保了在高功率密度设计中的可靠性。同时，其正向压降较低（典型值1.65V @ 5A），有助于降低导通损耗，尤其在大电流工作条件下表现优异。
　　该二极管具备出色的热稳定性，可在-55°C至+175°C的结温范围内正常工作，非常适合用于高温工业环境或密闭空间内的电源模块。其D-Pak封装设计不仅提供了良好的机械强度，还通过底部散热片实现有效的热传导，支持焊接至PCB上的散热焊盘以增强散热性能。此外，该器件具有高达80A的非重复浪涌电流承受能力，能够抵御瞬态过流冲击，如开机瞬间的电流冲击或电网波动，增强了系统的鲁棒性。所有这些特性使其成为替代传统快恢复二极管和普通硅肖特基的理想选择，特别是在PFC（功率因数校正）级、DC-DC变换器和逆变器电路中表现出色。

SCDS5D28NT470因其优异的高频性能和高耐温能力，广泛应用于各类高效电源系统中。在功率因数校正（PFC）电路中，该器件常被用作升压二极管，利用其零反向恢复特性来减少开关节点的振铃和损耗，提升整体转换效率。在太阳能光伏逆变器中，该二极管可用于直流侧的防反接保护或MPPT（最大功率点跟踪）电路中，确保能量高效传输的同时提高系统可靠性。在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩中，SCDS5D28NT470可作为辅助电源或主功率路径中的整流元件，满足高效率与小型化的设计需求。
　　此外，该器件也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、服务器电源和电信整流器等对效率和可靠性要求极高的场合。在这些应用中，其低正向压降和高结温能力有助于缩小散热器尺寸，降低系统总成本。由于其表面贴装封装形式，特别适合自动化生产线使用，有利于提升生产效率和产品一致性。同时，该二极管还可用于高频DC-DC转换器中的续流或输出整流二极管，尤其是在同步整流难以实现或成本受限的情况下，提供一种高性能且可靠的替代方案。