产品类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双阳极共阴极（Dual Anode Common Cathode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：28 V
　　平均整流电流（IF(AV)）：5 A（单通道）
　　峰值浪涌电流（IFSM）：75 A（8.3ms 半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值 0.49 V（在 5 A, TJ = 25°C 条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5 mA（在 28 V, TJ = 25°C）；高温下不超过 500 μA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerDI5060-2
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJC）：约 1.5 °C/W（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：接近零（肖特基势垒特性）
　　焊接温度（峰值）：260°C（最大，根据 JEDEC J-STD-020）

SCDS5D28NT2R2的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构使得器件在导通时具有非常低的正向压降，从而显著降低功率损耗并提高整体系统效率。在5A的工作电流下，其典型正向压降仅为0.49V，相较于传统的PN结二极管可减少超过30%的能量损耗，这对于电池供电设备或高密度电源模块尤为重要。同时，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计（trr ≈ 0），这使其非常适合用于高频开关电源拓扑如同步整流、升压/降压变换器等，能够有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的稳定性和电磁兼容性。
　　该器件采用PowerDI5060-2封装，这是一种先进的表面贴装功率封装，具备优异的散热性能和机械强度。封装底部设有大面积裸露焊盘，可通过PCB上的热焊盘高效地将热量传导至电路板内部的散热层或接地平面，从而实现良好的热管理。其热阻RθJC约为1.5°C/W，在高负载条件下仍能保持较低的结温，延长器件寿命并提高可靠性。此外，该封装尺寸紧凑（约5.0mm x 6.0mm），有助于节省PCB空间，满足现代电子产品小型化趋势的需求。
　　SCDS5D28NT2R2符合AEC-Q101汽车级认证标准，表明其在极端温度循环、湿度、机械振动等恶劣环境下仍能保持稳定的电气性能和长期可靠性。这一特性使其不仅适用于消费类电子和工业电源，也广泛应用于车载充电系统、DC-DC转换器、LED驱动电源以及电动助力转向（EPS）等汽车电子模块中。同时，器件符合RoHS指令和无卤素要求，体现了对环境保护的关注，适用于全球市场的绿色电子产品设计。

SCDS5D28NT2R2主要用于需要高效能、快速响应和高可靠性的电源管理系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压与降压转换器中的续流和箝位二极管，尤其在同步整流架构中作为辅助二极管使用，以防止体二极管导通带来的能量损失。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源适配器中，该器件可有效提升转换效率并减少发热。此外，它也被广泛用于电池管理系统（BMS）中，作为防止反向电流流动的保护元件，确保多节串联电池组的安全运行。
　　在新能源领域，该二极管可用于太阳能微逆变器或储能系统的功率回路中，承担能量回馈和防倒灌功能。在汽车电子方面，由于其具备AEC-Q101认证，常被集成于车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电模块、LED车灯驱动电路以及48V轻混系统的电压调节单元中。工业控制设备如PLC、伺服驱动器和UPS不间断电源也大量采用此类高性能肖特基二极管来优化电源路径效率。其低VF特性和优良热性能使其成为替代传统快恢复二极管的理想选择，特别是在追求高能效和小体积的设计中表现出色。

VS-SCDS5D28NT2R2