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BZX84-C75T/R 发布时间 时间:2025/12/27 22:17:21 查看 阅读:14

BZX84-C75T/R是一款表面贴装稳压二极管(齐纳二极管),由多个半导体制造商生产,常见于小功率电压参考和稳压电路中。该器件的标称稳压值为7.5V,属于BZX84系列的一部分,采用SOD-323(也称SC-76)小型封装,适合高密度PCB布局和自动化贴片工艺。BZX84-C75T/R中的“C”表示其稳压范围在6.8V至10V之间,“75”代表标称齐纳电压为7.5V,“T/R”通常指卷带包装形式,适用于批量自动化装配。该器件具有良好的温度稳定性和低动态电阻,能够在最大功率耗散为200mW的情况下工作。其主要功能是在电路中提供稳定的参考电压,用于电源稳压、过压保护、电平钳位、信号调理等应用。BZX84-C75T/R广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和便携式电子产品中。由于其封装尺寸小、响应速度快、成本低,成为许多低功耗设计中的理想选择。该器件的反向漏电流较低,在额定电压下可保持较高的稳压精度,并具备良好的长期稳定性。此外,BZX84-C75T/R符合RoHS环保要求,属于无铅(Pb-free)或绿色器件,适用于现代环保型电子产品制造。

参数

类型:齐纳二极管
  功率耗散:200mW
  标称齐纳电压:7.5V
  测试电流:20mA
  容差:±5%
  动态阻抗:15Ω(典型值)
  最大反向漏电流:1μA(@ VR = 1V)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装:SOD-323(SC-76)

特性

BZX84-C75T/R具备出色的电压稳定性和温度系数表现,其标称齐纳电压为7.5V,在20mA的测试电流下能够维持稳定的输出电压。该器件采用成熟的硅半导体工艺制造,确保了良好的批次一致性和长期可靠性。其动态阻抗典型值为15Ω,意味着在负载变化时电压波动较小,适合作为精密参考源使用。由于采用了SOD-323小型表面贴装封装,该器件具有极小的占板面积,非常适合空间受限的应用场景,如智能手机、可穿戴设备和微型传感器模块。封装结构采用无引线设计,不仅减小了寄生电感和电容,还提高了高频响应能力,使其在高速开关电路中也能保持良好性能。
  该齐纳二极管的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,可在极端环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车级应用。其热阻特性优良,结到环境的热阻(RthJA)约为625K/W,确保在额定功率下不会因过热而损坏。此外,BZX84-C75T/R具有较低的反向漏电流,在低电压偏置下漏电小于1μA,有助于降低待机功耗,提高系统能效。器件还具备良好的瞬态响应能力,能够快速抑制电压尖峰,提供有效的过压保护。由于其电压容差为±5%,无需额外校准即可满足大多数稳压需求。该器件的制造符合AEC-Q101等可靠性标准的部分要求(具体取决于制造商),并支持回流焊工艺,兼容现代SMT生产线。整体而言,BZX84-C75T/R是一款高性能、高可靠性的表面贴装齐纳二极管,适用于多种低压稳压与保护电路。

应用

BZX84-C75T/R广泛应用于各类电子设备中的电压基准与稳压电路。在电源管理系统中,常用于为ADC、DAC或微控制器提供稳定的参考电压。在低压直流供电系统中,可用于构建简单的并联稳压器,配合限流电阻实现低成本稳压方案。该器件也常见于信号电平转换与钳位电路中,防止输入信号超过敏感器件的耐压极限,例如在GPIO接口或通信线路(如I2C、UART)中作为静电和浪涌保护元件。在传感器信号调理电路中,BZX84-C75T/R可用于偏置电压生成或噪声滤波,提升测量精度。此外,它还可用于电池供电设备中的欠压或过压检测电路,配合比较器实现电压监控功能。在消费类电子产品如手机、平板、蓝牙耳机中,因其小型化封装和低功耗特性,被广泛用于内部电源轨的保护与稳压。工业控制系统、PLC模块、智能仪表等设备也采用该器件进行局部电压调节和ESD防护。汽车电子中,尽管需更高可靠性等级,但在非关键辅助电路中仍可见其应用。此外,BZX84-C75T/R也适用于原型设计和教育实验平台,便于快速搭建稳压测试电路。

替代型号

[
   "MMBZ5234B,518",
   "SZ BZX84-C75,315",
   "BZX84-C75-GS08",
   "ZMC75",
   "SOD-323Z7.5"
  ]

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