类型：碳化物肖特基二极管
　　封装/外壳：TO-252 (DPAK)
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：1800V
　　平均整流电流 IO：5A
　　正向压降 VF（典型值）：1.7V @ 5A, 150°C
　　漏电流 IR（最大值）：250μA @ 1800V, 150°C
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围 Tstg：-55°C 至 +175°C
　　反向恢复时间 trr：≈0ns（无反向恢复电荷）
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数量：3
　　热阻 RθJC：3.5°C/W
　　极性：单芯片二极管

SCDS5D18NT6R0所采用的碳化物材料使其在高温环境下仍能保持出色的电气稳定性与低漏电流表现。在150°C的工作结温下，其最大漏电流仅为250μA，在1800V反向电压条件下也未出现明显的热失控现象，这大大增强了其在高温应用场景中的可靠性。由于没有PN结，该器件不产生少数载流子注入，因此不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从而消除了传统硅基PIN二极管在高频开关过程中因反向恢复引起的能量损耗和电磁干扰问题。这种“零恢复”特性使得它非常适合用于硬开关或谐振拓扑结构中，如LLC变换器、有源钳位反激式转换器等，可有效降低主开关器件的应力并提升系统效率。
　　该器件具有非常陡峭的击穿特性与稳定的动态响应能力，能够承受瞬态过电压冲击而不发生雪崩击穿失效。其正向导通压降随温度变化较小，在宽温度范围内保持较高的能效水平。即使在满载电流5A条件下，其VF典型值也仅约1.7V，相较于同等规格的硅二极管可减少近40%的导通损耗。此外，TO-252封装提供了优良的热传导路径，结合低热阻RθJC（3.5°C/W），有助于将芯片热量快速传递至PCB，避免局部过热影响寿命。
　　该产品还具备优异的抗浪涌能力，可承受高达80A的非重复浪涌电流（IFSM），确保在电网波动或启动瞬间不会损坏。所有参数均经过严格筛选与测试，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，适用于对安全性和耐久性要求极高的工业与车载系统。其无铅、无卤素的设计满足现代绿色电子制造的需求，支持回流焊工艺，兼容主流SMT生产线。

SCDS5D18NT6R0广泛应用于各类高电压、高频率、高效率的电力电子系统中。在工业电源领域，常用于PFC（功率因数校正）升压二极管，配合MOSFET或IGBT实现连续导通模式下的高效整流，显著降低总谐波失真并提高输入端电能质量。在太阳能光伏逆变器中，该器件作为直流侧母线电压隔离与防倒灌元件，利用其快速响应特性防止电池组反向放电，同时在最大功率点追踪（MPPT）算法运行期间维持低损耗状态。
　　在电动汽车及充电桩系统中，SCDS5D18NT6R0可用于车载OBC（车载充电机）中的二次侧整流环节，或作为DC-DC转换器中的续流二极管，凭借其高温耐受能力和零恢复特性，保障系统在频繁启停与负载突变下的稳定运行。在UPS（不间断电源）和服务器电源中，该器件被部署于高压直流链路中，用于能量回馈与电压箝位功能，帮助抑制电压尖峰并提升系统可靠性。
　　此外，该型号还可用于感应加热设备、激光电源、X射线发生器等特种电源装置中，作为高压整流单元的核心组件。其紧凑的表面贴装封装也使其适用于空间受限但需高功率密度的应用场合，例如模块化电源板、数字电源砖等。得益于其宽泛的温度适应能力，该器件同样适合部署在户外环境或高温舱室内长期运行。

SCDS5D18N