型号：SCDS4D18NT3R3
　　制造商：Vishay Semiconductor Diodes Division
　　产品类型：肖特基二极管
　　技术：SiC（碳化硅）
　　最大重复峰值反向电压 (VRRM)：180 V
　　平均正向整流电流 (IF(AV))：4 A
　　峰值正向浪涌电流 (IFSM)：60 A
　　最大正向电压降 (VF)：1.7 V（在4A时）
　　最大反向漏电流 (IR)：100 μA（在180V、25°C时）；1 mA（在180V、150°C时）
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装/外壳：TO-252-2（D-Pak）、表面贴装
　　安装类型：表面贴装
　　极性：单个
　　反向恢复时间 (trr)：典型值 < 15 ns
　　热阻抗 (RθJC)：约 3.5 °C/W

SCDS4D18NT3R3作为一款基于碳化硅（SiC）材料的肖特基二极管，具备多项优于传统硅基二极管的关键特性。首先，由于SiC材料本身具有宽禁带（约3.2 eV），使得该器件在高温环境下仍能保持极低的反向漏电流。即使在150°C的高温下，其反向漏电流也仅为1 mA，在180 V反向电压下表现出优异的阻断能力，远优于同等条件下的硅器件。这一特性极大地提升了电源系统的可靠性，尤其是在高功率密度和自然冷却设计中尤为重要。
　　其次，该二极管没有PN结带来的少子存储效应，因此不存在反向恢复电荷（Qrr）问题，反向恢复时间（trr）小于15 ns，几乎为零。这意味着在高频开关应用中，如PFC电路或DC-DC变换器中，可以显著减少开关节点的振荡和电磁干扰（EMI），同时大幅降低开关损耗，提升系统效率。对于追求高效能和小型化的现代电源设计而言，这是极为关键的优势。
　　再者，SCDS4D18NT3R3可在高达175°C的结温下持续工作，表明其具备卓越的热稳定性和长期可靠性。结合TO-252封装良好的热传导性能，能够在紧凑空间内实现有效散热，支持高功率密度设计。此外，该器件具备60 A的峰值浪涌电流承受能力，可应对启动或瞬态负载等异常工况，增强了系统的鲁棒性。
　　最后，该器件为无铅、符合RoHS指令，并通过了AEC-Q101认证（适用于汽车级应用），表明其不仅适用于消费类和工业类电源，也可用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器等对可靠性要求极高的场景。综合来看，SCDS4D18NT3R3凭借其SiC材料优势、高速开关能力、高温稳定性及高可靠性，成为新一代高效能电源系统中的理想选择。

SCDS4D18NT3R3因其优异的电气和热性能，广泛应用于多种高效率、高频率的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，该器件常用于有源功率因数校正（PFC）电路中作为升压二极管，利用其低正向导通压降和近乎零的反向恢复特性来提升整体转换效率，尤其在连续导通模式（CCM）PFC拓扑中表现突出。其快速响应能力和低损耗特性有助于满足80 PLUS钛金等级等高能效标准的要求。
　　在可再生能源系统中，例如太阳能光伏逆变器，SCDS4D18NT3R3可用于直流侧的防反接或能量回馈路径，其高温耐受能力和稳定性确保了在户外恶劣环境下的长期可靠运行。同时，在电动汽车相关设备中，包括车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块，该二极管可用于次级整流或辅助电源整流环节，帮助实现轻量化和小型化设计。
　　工业电机驱动和UPS不间断电源系统也大量采用此类SiC二极管以提高动态响应速度和系统效率。此外，该器件还可用于高密度AC-DC和DC-DC开关电源、LED驱动电源以及工业自动化控制电源模块中。得益于其表面贴装TO-252封装，SCDS4D18NT3R3支持自动化贴片工艺，适用于大规模生产制造，进一步推动其在各类高端电源产品中的普及。

SCH4D180A-E3