时间：2025/8/2 5:06:05
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BSS84KW-TP是一款常用的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Tak Cheong Semiconductor（长电科技）制造。这款MOSFET广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中。由于其小型封装和优良的导通电阻特性，BSS84KW-TP适用于高效率、低功耗的设计场景。其常见的封装形式为SOT-23或SOT-323，便于在紧凑的PCB布局中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：最大30V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：连续最大100mA
导通电阻(Rds(on))：最大值约为5Ω（在Vgs = -10V时）
栅极电荷(Qg)：约2.3nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT-23或SOT-323
BSS84KW-TP具有多项优异的电气和物理特性，使其在低功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻确保在导通状态下具有较小的功率损耗，从而提高整体效率。其次，该器件的栅极电荷较低，使得开关速度较快，适合高频开关应用。此外，BSS84KW-TP具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。
该MOSFET还具备较强的抗静电能力，能够在制造和使用过程中提供更好的可靠性。其采用的封装工艺确保了良好的散热性能，即使在高电流负载下也能维持较低的温升。另外，BSS84KW-TP的封装尺寸小巧，便于集成到高密度的电路设计中，同时降低了整体系统的尺寸和重量。
在应用灵活性方面，BSS84KW-TP适用于多种电压范围，能够在3.3V至12V的栅极驱动电压下正常工作，适应不同的控制电路设计需求。
BSS84KW-TP广泛应用于便携式电子产品、电池管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关、LED驱动电路以及工业自动化设备中。在电源管理模块中，它常用于实现低功耗的开关控制。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、传感器模块和车身控制单元等。由于其高可靠性和良好的电气性能，BSS84KW-TP也常用于通信设备和消费类电子产品中。
2N7002K, DMG9435, AO3401A
