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3N135 发布时间 时间:2025/9/3 3:49:20 查看 阅读:10

3N135是一款常用的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、开关电路以及放大电路中。该器件采用TO-220封装,具有较高的耐压和较大的电流承载能力,适合于中高功率的电子设备中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大漏极电流(ID):4A
  导通电阻(RDS(on)):约0.25Ω
  最大功耗(PD):40W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

3N135具有优良的导通特性和较低的导通损耗,适用于高频开关应用。
  其高耐压特性使其在多种电源转换器中表现优异,如DC-DC转换器和开关电源(SMPS)等。
  该器件具有良好的热稳定性和较强的过载能力,能够在较为严苛的环境条件下稳定工作。
  此外,3N135的封装设计便于安装散热片,有助于提升整体的热管理性能,延长器件使用寿命。
  由于其成熟的制造工艺和稳定的性能表现,3N135在工业控制、电源供应以及汽车电子等领域得到了广泛应用。

应用

3N135主要应用于电源管理系统、电机驱动电路、LED照明控制、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及各种需要高可靠性和高效率的功率控制场合。
  它也常用于作为电子负载的开关元件,或者在音频放大器中作为输出级的功率器件使用。
  在工业自动化和控制系统中,3N135可以用于驱动继电器、电磁阀等执行机构,实现对负载的高效控制。
  此外,该器件在电池充电器、UPS不间断电源以及太阳能逆变系统中也有广泛的应用。

替代型号

IRFZ44N, 2N6755, FDPF4N50, BUZ11

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