时间：2025/9/3 3:49:20
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3N135是一款常用的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路以及放大电路中。该器件采用TO-220封装，具有较高的耐压和较大的电流承载能力，适合于中高功率的电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(on)）：约0.25Ω
最大功耗（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
3N135具有优良的导通特性和较低的导通损耗，适用于高频开关应用。
其高耐压特性使其在多种电源转换器中表现优异，如DC-DC转换器和开关电源（SMPS）等。
该器件具有良好的热稳定性和较强的过载能力，能够在较为严苛的环境条件下稳定工作。
此外，3N135的封装设计便于安装散热片，有助于提升整体的热管理性能，延长器件使用寿命。
由于其成熟的制造工艺和稳定的性能表现，3N135在工业控制、电源供应以及汽车电子等领域得到了广泛应用。
3N135主要应用于电源管理系统、电机驱动电路、LED照明控制、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及各种需要高可靠性和高效率的功率控制场合。
它也常用于作为电子负载的开关元件，或者在音频放大器中作为输出级的功率器件使用。
在工业自动化和控制系统中，3N135可以用于驱动继电器、电磁阀等执行机构，实现对负载的高效控制。
此外，该器件在电池充电器、UPS不间断电源以及太阳能逆变系统中也有广泛的应用。
IRFZ44N, 2N6755, FDPF4N50, BUZ11
