2SK2334STR是富士通(Fujitsu)公司生产的一款N沟道功率MOSFET晶体管,主要应用于高频、高压和大电流的开关电路中。该器件采用TO-3P封装形式,具有低导通电阻、高耐压以及快速开关速度等特性,适用于工业设备、电源供应器以及音频放大器等领域。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:12A
导通电阻:1.5Ω
栅极电荷:80nC
开关时间:开启时间 80ns,关闭时间 90ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
2SK2334STR是一款高性能的功率MOSFET,其主要特性如下:
1. 高耐压能力:该器件可以承受高达700V的漏源电压,非常适合在高压环境下使用。
2. 大电流处理能力:连续漏极电流可达12A,确保了其在大电流应用中的稳定性。
3. 快速开关速度:由于其较低的栅极电荷和短开关时间,使得该器件非常适合高频开关应用。
4. 低导通电阻:1.5Ω的导通电阻能够降低导通损耗,提高整体效率。
5. 高温适应性:工作结温范围宽达-55℃至+150℃,使其能够在极端温度条件下正常工作。
2SK2334STR广泛应用于多种电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管。
2. 工业控制设备:如变频器、伺服驱动器等需要高可靠性和高效能的场合。
3. 音频功率放大器:用于高保真音频设备中的功率输出级。
4. 电机驱动:提供高效的电机控制和保护功能。
5. 逆变器:在太阳能逆变器和其他电力转换设备中发挥关键作用。
2SK2340, IRFP250N, STW81N60