时间：2025/12/26 0:06:50
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SCDS3D18NT3R3是一款由安森美（onsemi）生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管，采用先进的平面工艺制造，专为高效率、高频开关应用设计。该器件具有低正向压降和快速恢复特性，能够显著降低开关损耗，提高电源转换效率。其封装形式为双共阴极配置的SOD-123FL小型化表面贴装封装，尺寸紧凑，适用于对空间要求极为严格的便携式电子设备和高密度PCB布局。SCDS3D18NT3R3广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、逆变器电路、续流与箝位保护电路等场景，尤其适合在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及电池供电设备中使用。该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，具备良好的温度稳定性和长期工作可靠性，可在较宽的工作温度范围内保持优异性能。此外，产品符合RoHS环保要求，无铅且不含卤素，满足现代绿色电子产品的设计需求。
类型：肖特基势垒二极管
配置：双共阴极
最大重复峰值反向电压（VRRM）：30 V
最大直流阻断电压（VR）：30 V
平均整流电流（IO）：200 mA
峰值正向浪涌电流（IFSM）：0.5 A
最大正向压降（VF）：450 mV @ 200 mA
最大反向漏电流（IR）：0.1 μA @ 25°C, 30 V
结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
封装/包装：SOD-123FL
安装类型：表面贴装（SMD）
通道数：2
极性：共阴极
热阻结到环境（RθJA）：470 °C/W
功率耗散（PD）：300 mW
SCDS3D18NT3R3的核心优势在于其采用高性能硅肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，典型值仅为450mV，在200mA工作电流下可显著减少功耗，提升系统能效。这一特性使其特别适用于低压大电流输出的DC-DC转换电路中作为整流或续流元件，有效避免传统PN结二极管因较高VF带来的发热问题。同时，该器件具备极快的开关响应速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，远优于普通整流二极管，从而大幅降低高频开关过程中的动态损耗，有助于实现更高的开关频率和更小的外围滤波元件尺寸，进而缩小整体电源模块体积。
该器件采用双共阴极结构设计，两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极端子，这种拓扑结构非常适合用于同步整流替代方案、双路输出电源或需要共用参考点的箝位保护电路中，简化了PCB布线并提高了集成度。SOD-123FL封装具有极小的占位面积（约2.1mm x 1.3mm），厚度低至1.1mm以下，非常适合超薄型移动终端产品。其封装材料采用模塑环氧树脂，具备优良的机械强度和防潮性能，并通过了IEC 61000-4-2 ESD防护测试，增强了现场使用的鲁棒性。
热性能方面，器件的结到环境热阻为470°C/W，在无额外散热条件下仍能保证在额定功率下安全运行。结合-55°C至+150°C的宽工作结温范围，确保其可在恶劣环境温度下稳定工作，适用于工业级及汽车级应用场景。此外，该器件通过AEC-Q101认证，表明其在高温反偏、温度循环、湿度敏感等级等方面均达到汽车电子元器件的严苛标准，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等非动力总成类电子单元。产品还符合RoHS指令和无卤素要求，支持环保生产工艺，便于自动化贴片组装，是高可靠性、高性能小型化电源设计的理想选择之一。
主要用于便携式消费电子产品中的电源管理电路，如智能手机和平板电脑内的DC-DC升压或降压转换器，作为高效整流与续流元件；适用于笔记本电脑主板上的多相供电系统中的辅助整流路径；广泛用于LED背光驱动电路中作为防止反向电流的保护器件；在电池充电管理模块中用于隔离不同电源路径，防止倒灌；常见于无线耳机、智能手表等可穿戴设备的微型电源适配器中；也适用于工业传感器、IoT节点设备中的低功耗电源转换拓扑；还可用于汽车电子中的非动力系统，如车载导航、仪表盘显示、车内照明控制等领域的电源整流与瞬态抑制电路；此外，在AC-DC适配器次级侧、待机电源、反激式变换器的吸收网络中也有广泛应用。
