类型：SiC 肖特基二极管
　　封装/外壳：D-Pak（TO-252AA）
　　配置：单路
　　反向耐压（VRRM）：1800 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：3 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50 A @ 8.3ms
　　正向压降（VF）：1.7 V @ 3 A, 150°C
　　反向漏电流（IR）：200 μA @ 1800 V, 25°C；10 mA @ 1800 V, 150°C
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：35 °C/W
　　安装类型：表面贴装
　　极性：阳极朝外
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（无限车间寿命）
　　引脚数：2
　　产品系列：SCDS3D
　　反向恢复时间（trr）：典型值为0 ns（无反向恢复电荷）

SCDS3D18NT221采用碳化硅（SiC）半导体材料制造，具备卓越的电气与热性能表现。其核心优势在于零反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和几乎无反向恢复电流的特性，这使得该二极管在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗，也不会引发由传统硅基PN结二极管带来的电压振铃和电磁干扰问题。这一特性极大地提升了电源系统的效率，并允许使用更高频率的开关拓扑结构，如图腾柱PFC、LLC谐振转换器等，从而减小磁性元件的体积和重量，实现更高的功率密度。
　　该器件的正向压降（VF）在3A电流下仅为1.7V，在高温工况下仍保持稳定，相较于同等规格的硅二极管具有更低的导通损耗。同时，其最大反向耐压高达1800V，能够满足高压直流输入环境下的安全裕量需求，适用于全球通用输入电压范围（90–264V AC）经过整流后的高压母线箝位或续流应用。此外，宽至+175°C的最大结温允许其在高温密闭环境中长期可靠运行，结合35°C/W的低热阻设计，可通过PCB有效散热，无需额外复杂的冷却装置。
　　SCDS3D18NT221还具备出色的抗雪崩能力和高浪涌电流承受能力（50A@8.3ms），可应对突发的电网波动或启动冲击电流，确保系统在异常工况下的安全性。其表面贴装D-Pak封装不仅节省空间，而且兼容自动化贴片工艺，适合大规模生产。整体而言，这款SiC肖特基二极管代表了现代高效电源系统中不可或缺的关键组件，尤其适合追求小型化、高能效和长寿命的应用场景。

SCDS3D18NT221主要用于各类高效率开关电源系统中，特别是在需要高电压阻断能力和低开关损耗的场合。典型应用包括服务器和数据中心的高密度AC-DC电源模块，其中其高频特性有助于提升功率因数校正（PFC）级的效率；在工业电源和电信整流器中，该器件用于升压PFC电路中的升压二极管，替代传统硅快恢复二极管以降低损耗并提升系统热管理性能。
　　在可再生能源领域，SCDS3D18NT221被广泛应用于太阳能光伏逆变器的直流侧续流与隔离路径中，利用其高耐压和高温稳定性来应对户外严苛环境；同时也在风力发电变流器中作为辅助电源或保护电路的一部分。此外，在电动汽车车载充电机（OBC）和直流充电桩的次级整流或同步整流辅助通道中，该二极管也发挥着关键作用。
　　其他应用场景还包括不间断电源（UPS）、焊接电源、激光电源以及高压LED驱动电源等。由于其无反向恢复特性，特别适合用于图腾柱无桥PFC拓扑结构中，避免体二极管反向恢复带来的效率下降问题。总之，凡是要求高可靠性、高效率和小型化的高压功率转换系统，都是SCDS3D18NT221的理想选择。

SCS303AP-M17
　　VSI SCWT1806P-S18
　　Cree C3D18060E
　　Infineon IDW180E60C
　　ON Semiconductor FFSH30U180N