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SCDS3D18NT1R5 发布时间 时间:2025/12/26 1:59:37 查看 阅读:29

SCDS3D18NT1R5是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用先进的CMOS兼容工艺制造,专为高速开关和低电压应用设计。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,采用共阴极配置,适用于需要快速响应和低正向压降的应用场景。SCDS3D18NT1R5封装在小型化的双扁平无引脚(DFN)封装中,尺寸紧凑,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子设备、通信系统和电源管理电路中。其结构优化了热性能和电气性能,能够在高温环境下稳定运行。该器件符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q101车规级认证,适用于汽车电子系统中的瞬态电压抑制、信号整流和电平转换等关键功能。由于其优异的开关特性与可靠性,SCDS3D18NT1R5成为现代高性能电子系统中不可或缺的组件之一。

参数

产品类型:双通道肖特基二极管阵列
  封装/外壳:DFN-2
  配置:共阴极
  反向重复峰值电压(VRRM):18 V
  最大平均整流电流(IO):3 A
  正向压降(VF):典型值550 mV(在IF = 1 A时)
  最大反向漏电流(IR):10 μA(在VR = 18 V时)
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  热阻(RθJA):约45 °C/W
  安装类型:表面贴装
  湿度敏感等级(MSL):1级(<=30°C/85%RH)
  引脚数:2
  峰值脉冲功率(PPPM):可承受高瞬态浪涌电流

特性

SCDS3D18NT1R5具备卓越的高频开关性能,得益于其肖特基势垒结构,显著降低了载流子存储时间,从而实现了纳秒级别的反向恢复时间,远优于传统PN结二极管。这种快速响应能力使其非常适合用于高频整流、防反接保护以及信号包络检波等应用场景。其低正向导通压降(典型值仅为550mV @ 1A)有效减少了功率损耗,提升了系统整体能效,尤其适用于电池供电或对功耗敏感的移动设备。
  该器件采用共阴极拓扑结构,两个阳极各自独立,便于实现双路信号钳位或并联使用以提高电流承载能力。其DFN-2小型封装不仅节省PCB空间,还通过底部散热焊盘增强了热传导性能,有助于将热量高效传递至PCB地层,延长器件寿命。此外,该封装具有良好的机械稳定性与焊接可靠性,支持自动化回流焊工艺,适合大规模生产。
  SCDS3D18NT1R5具备出色的热稳定性,在结温达到+150°C时仍能维持正常工作,确保在高温环境下的长期可靠性。其低反向漏电流(最大10μA @ 18V)减少了待机状态下的能耗,有利于提升系统的静态效率。器件经过严格筛选,符合AEC-Q101汽车级认证标准,可在严苛的振动、湿度和温度循环条件下稳定运行,广泛应用于车载信息娱乐系统、LED驱动模块及DC-DC转换器中。
  该二极管对ESD具有较强的耐受能力,典型人体模型(HBM)抗静电等级可达±2kV,增强了在装配和现场使用过程中的鲁棒性。同时,其材料构成符合RoHS指令要求,不含铅、镉等有害物质,满足现代电子产品绿色环保的设计趋势。综合来看,SCDS3D18NT1R5以其高性能、小体积和高可靠性,成为消费电子、工业控制与汽车电子领域中理想的高频整流与保护解决方案。

应用

SCDS3D18NT1R5广泛应用于多种电子系统中,特别是在需要高效能、小尺寸和高可靠性的场合。其主要应用包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理与电池充电电路,用于防止反向电流流动并提供瞬态电压保护。在通信接口电路中,例如USB、HDMI或MIPI线路,该器件可用于信号线的静电放电(ESD)防护和电压钳位,保障敏感IC免受过压冲击。
  在电源管理系统中,SCDS3D18NT1R5常被用作DC-DC转换器的续流二极管或同步整流辅助元件,利用其低正向压降减少能量损耗,提升转换效率。此外,在LED背光驱动和照明电源中,它可用于防止反向电压损坏LED串,同时在启停瞬间抑制反电动势。
  由于通过AEC-Q101认证,该器件也广泛应用于汽车电子领域,如车载摄像头模块、传感器供电电路、车身控制模块和车载充电机中,执行电压箝位、极性保护和噪声抑制等功能。其高结温能力和稳定的电气特性确保在发动机舱或仪表台等高温环境中仍能长期可靠运行。
  在工业控制设备中,SCDS3D18NT1R5可用于PLC输入输出模块的信号隔离与保护,防止外部感应电压或接线错误导致的损坏。此外,在无线充电接收端电路中,也可作为整流桥的一部分,配合谐振网络完成交流到直流的转换。总体而言,该器件凭借其多功能性和坚固设计,已成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

替代型号

SMB3D18T1G
  MBRS340T3G
  SS34

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