类型：双通道肖特基二极管阵列
　　配置：双独立二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：4.7 V
　　平均整流电流（IO）：1.2 A
　　正向压降（VF）典型值：380 mV @ 1 A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：20 A
　　反向漏电流（IR）：≤ 10 μA @ 额定VRRM
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN（双扁平无引脚）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：6
　　热阻结到PCB（ΘJA）：约40°C/W
　　符合标准：RoHS合规，AEC-Q101认证

SCDA3D12NT4R7采用Vishay专有的Trench Schottky技术，这项技术通过在硅衬底上刻蚀出深沟槽结构来优化电场分布，从而显著降低单位面积上的漏电流并提升器件的击穿电压稳定性。相比传统平面型肖特基二极管，Trench结构能够在相同芯片尺寸下实现更高的电流密度和更低的正向导通压降，这使得SCDA3D12NT4R7在大电流应用中表现出色，同时减少功率损耗和发热问题。该器件的正向压降典型值仅为380mV（在1A条件下），这一低VF特性对于提高电源转换效率至关重要，尤其是在低压大电流的同步整流拓扑中能够有效减少能量损耗。
　　该器件集成了两个完全独立的肖特基二极管单元，允许用户灵活配置为双路整流、共阴极或共阳极连接，适用于多种电路架构需求。其DFN封装具有极低的热阻和优异的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至内层或地平面，从而增强整体热管理能力。此外，DFN封装的小尺寸（典型为2mm x 2mm或类似）使其非常适合高密度布局的应用场合，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及车载信息娱乐系统。
　　SCDA3D12NT4R7具备出色的动态响应特性，反向恢复时间几乎可以忽略不计，因此在高频开关环境中不会产生明显的反向恢复电荷（Qrr），避免了由此引起的电磁干扰（EMI）和额外功耗。这一特点使其成为DC-DC降压/升压转换器输出整流阶段的理想选择。同时，该器件经过AEC-Q101认证，表明其已通过严格的汽车级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环、高压蒸煮（PCT）等，确保在恶劣的振动、湿度和温度变化环境下长期稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）也支持其在发动机舱附近或高温工业环境中的部署。

SCDA3D12NT4R7因其低正向压降、高效率和小型化封装，被广泛应用于多个领域。在移动和便携式电子设备中，它常用于电池供电系统的电源路径管理，例如作为充电回路中的防倒灌二极管或负载切换元件，防止主电源与备用电池之间的相互干扰。在DC-DC转换器中，特别是非隔离式 buck 或 boost 拓扑结构中，该器件可用于续流二极管或输出整流二极管，利用其快速开关特性和低导通损耗提升整体转换效率。
　　在汽车电子系统中，该器件适用于车身控制模块、LED照明驱动、车载摄像头电源、ADAS传感器供电单元等场景。由于其通过AEC-Q101认证，能够在-40°C至+125°C甚至更高结温下可靠工作，因此适合安装在靠近发动机或置于外部环境暴露区域的电子控制单元（ECU）。此外，在工业自动化设备中，如PLC控制器、远程I/O模块和现场总线接口，SCDA3D12NT4R7可用于电源轨保护、电压钳位和瞬态抑制电路，防止因感性负载切换或电源波动导致的电压尖峰损坏后续电路。
　　在通信基础设施中，该器件也可用于服务器电源模块、PoE（Power over Ethernet）受电设备的输入保护，以及高速数据线路的静电放电（ESD）防护辅助电路。其低电容特性有助于最小化对信号完整性的干扰。此外，由于其双通道独立结构，还可以用作双路LDO输出隔离二极管，防止交叉供电现象。总之，SCDA3D12NT4R7凭借其高性能、高可靠性和紧凑封装，已成为现代高效能电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

[
　　 "SCDA3D12NT4R7-E3",
　　 "VBAT3D12-HF",
　　 "DMT3D12LSFIL",
　　 "SD3D12A4-7",
　　 "SK34AH"
　　]