时间：2025/5/20 15:36:00
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SCB15H1G160AF-13KI 是一款由东芝（Toshiba）制造的高速、低功耗沟道MOSFET晶体管。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。其设计旨在提供高效率和可靠性，同时减少导通电阻和开关损耗。
这款MOSFET具有出色的电气性能和散热能力，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。由于其较低的导通电阻和优化的栅极电荷，可以实现快速开关和高效的功率转换。
型号：SCB15H1G160AF-13KI
封装：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源电压）：160V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.4Ω
Id（连续漏极电流）：1.5A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：4nC
fSW（最大工作频率）：500kHz
功耗：取决于应用环境
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 超低导通电阻，有助于提高系统效率并降低功耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 优异的热稳定性，能够承受较宽的工作温度范围。
4. 小型化封装设计，节省PCB空间。
5. 提供了较高的漏源击穿电压（160V），增强了器件的耐压能力。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
7. 稳定的电气特性和可靠性，确保长期使用。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converter）的核心元件。
3. 电池充电管理和保护电路。
4. 各种电机驱动和控制应用。
5. 工业自动化设备中的信号切换和功率调节。
6. 消费电子产品中的负载开关和保护电路。
7. 可再生能源领域中的逆变器和功率转换模块。
SCB15H1G160AF-13K
SSM3J148R
IRF7404
FDMC8820
