类型：高压半桥MOSFET驱动器
　　工作电压范围：5.5V 至 18V
　　输出电流能力：典型值 200mA（峰值 350mA）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：16引脚 TSSOP
　　输入信号兼容性：3.3V / 5V TTL/CMOS 兼容
　　死区时间控制：内置
　　传播延迟：典型值 70ns
　　跨导抑制（Anti-Shoot-Through）保护：是
　　欠压锁定（UVLO）：是
　　输出端耐压：最高 600V（高侧）

SC38LG030PG01 是一款专为高侧和低侧MOSFET驱动优化的高压驱动器。其核心功能之一是提供高电压浮动通道驱动能力，支持高达600V的高侧电压，这使得它非常适用于升压转换器、全桥和半桥拓扑结构中的MOSFET控制。芯片内置欠压锁定（UVLO）功能，确保在电源电压不足时关闭输出，从而防止MOSFET在非理想条件下工作，提升系统可靠性。此外，该器件具备跨导抑制（Anti-Shoot-Through）保护机制，可防止上下桥臂MOSFET同时导通，避免直通电流造成的损坏。
　　 SC38LG030PG01 的输入端兼容3.3V和5V的TTL/CMOS电平，方便与多种微控制器或PWM控制器接口连接。其传播延迟时间较短，典型值为70ns，有助于提高开关速度和系统响应时间，从而实现更高效的电源转换。该器件采用16引脚TSSOP封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB设计。
　　 此外，该驱动器支持死区时间控制，可通过外部电阻进行调节，从而优化PWM信号以防止MOSFET之间的交叉传导。其宽工作温度范围（-40°C至+150°C）也使其适用于工业和汽车等恶劣环境下的应用。

SC38LG030PG01 广泛应用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、无刷直流电机驱动器、UPS系统、逆变器以及工业自动化设备。由于其高侧驱动能力，特别适合用于需要高电压工作的拓扑结构，如半桥和全桥电路。在电动汽车（EV）充电系统、光伏逆变器以及电机控制模块中，该器件也常被用作MOSFET或IGBT的驱动器。此外，在需要高效能和高可靠性的家电产品中，例如变频空调、洗衣机和电磁炉等，SC38LG030PG01 也具有广泛的应用前景。

STDRIVE601、L6384E、IRS2104S、TC4420、MIC502