类型：N沟道
　　最大漏极电流：130A
　　最大漏极-源极电压：150V
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.6mΩ
　　栅极电荷：220nC
　　功耗：400W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

IXTH130N15X4具有多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。
　　首先，其导通电阻（Rds(on)）非常低，仅为3.6mΩ，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。在高电流应用中，这种低导通电阻尤为重要，因为它可以显著降低功率损耗，减少发热，从而提高整体系统的可靠性和寿命。
　　其次，该MOSFET的最大漏极电流可达130A，最大漏极-源极电压为150V，适用于中高功率应用，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和电池管理系统等。其高电流和高电压能力使其能够在苛刻的工作环境中稳定运行。
　　此外，IXTH130N15X4的栅极电荷为220nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频应用尤为重要。在开关过程中，较低的栅极电荷可以减少驱动电路的能量需求，从而提高系统效率并降低驱动电路的设计复杂度。
　　该器件的功耗为400W，表明其具有较强的热稳定性，能够承受较高的工作温度。其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于工业级和汽车级应用，确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能。
　　最后，IXTH130N15X4采用TO-247封装，具有良好的散热性能，便于在高功率应用中进行安装和散热管理。该封装形式也使得该MOSFET能够与其他功率器件兼容，方便用户进行设计和替换。

IXTH130N15X4广泛应用于多个高功率电子系统中。首先，在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器和AC-DC电源供应器，特别是在需要高效率和高可靠性的服务器电源、工业电源和电信设备中。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效电源转换的理想选择。
　　其次，在电机控制系统中，IXTH130N15X4可以作为H桥电路中的开关器件，用于控制直流电机或无刷直流电机的运行。其快速开关特性和高耐压能力使其适用于需要频繁启停和调速的电机控制应用。
　　此外，该MOSFET还广泛应用于太阳能逆变器和储能系统中，用于实现高效的能量转换和管理。在这些系统中，IXTH130N15X4的高效率和高可靠性能够显著提升系统的整体性能，并延长设备的使用寿命。
　　在电动汽车和混合动力汽车领域，IXTH130N15X4也可用于电池管理系统和车载充电器中，以实现高效的能量管理和稳定的电源供应。其宽工作温度范围和高热稳定性使其能够在汽车电子系统中稳定运行。
　　最后，在工业自动化和自动化设备中，该MOSFET可用于控制各种高功率负载，如加热元件、照明系统和执行机构。其优异的开关性能和高可靠性使其成为工业控制系统中不可或缺的元件。

IXFN130N15X4, IRFP4468, SCT3080AL, SiC MOSFET替代型号如C3M0065090J