时间：2025/8/5 8:52:25
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SC120ULTRT是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的高效能、高可靠性的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件主要用于高功率开关应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化系统中。SC120ULTRT采用了先进的沟槽栅极技术，提供卓越的导通性能和快速的开关响应，同时具备良好的热稳定性，适用于高温工作环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：120V
连续漏极电流（ID）：80A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为4.5mΩ（最大5.5mΩ）
栅极电荷（Qg）：约150nC（在10V栅极驱动电压下）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6或TO-220封装
最大耗散功率（Ptot）：200W
SC120ULTRT具备多项先进特性，使其在高性能功率转换应用中表现出色。
首先，该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，有效降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。
其次，SC120ULTRT具有优异的热管理能力，能够在高负载和高温环境下稳定工作，延长设备的使用寿命并提高系统可靠性。
此外，该器件具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动系统。
SC120ULTRT还具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压冲击，提高系统的稳定性和安全性。
最后，该MOSFET支持多种封装形式，如PowerFLAT 5x6和TO-220，适应不同PCB布局需求，便于散热设计和安装。
SC120ULTRT广泛应用于多个高性能功率电子系统中。在电源管理系统中，它被用于构建高效能的DC-DC转换器，实现高效率的能量转换。在电机控制系统中，该MOSFET可作为H桥或半桥结构中的开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。在工业自动化设备中，SC120ULTRT可用于驱动高功率负载，如加热元件、风扇和执行机构。此外，它还适用于电信设备、服务器电源、储能系统以及太阳能逆变器等应用领域。
STP80NF120-03, IPP120N10N3G, IRFP4668
