您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IR3M02N

IR3M02N 发布时间 时间:2025/8/27 23:42:47 查看 阅读:15

IR3M02N是一款由Infineon Technologies生产的功率MOSFET,属于其OptiMOS?系列的一部分。该器件设计用于高效率、高功率密度的电源转换应用,例如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等。IR3M02N采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻(RDS(on))和优异的热性能,使其在高电流条件下仍能保持稳定运行。该MOSFET为N沟道增强型,封装形式为PG-TDSON-8(也称为SuperSO8),具有良好的散热性能和空间利用率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):25V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):100A
  RDS(on)(最大值):2.2mΩ(在VGS=10V时)
  功率耗散(Ptot):60W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装:PG-TDSON-8(SuperSO8)

特性

IR3M02N的核心特性在于其卓越的导通性能和热管理能力。该器件的RDS(on)仅为2.2mΩ,在高电流条件下可显著降低导通损耗,从而提高整体系统效率。由于采用了Infineon专有的OptiMOS?技术,该MOSFET在保持低导通电阻的同时,还具备出色的开关性能,减少了开关过程中的能量损耗。此外,其SuperSO8封装设计具有良好的热传导性能,有助于在高负载条件下保持稳定的温度表现。
  IR3M02N的工作温度范围宽广(-55°C至150°C),适用于各种严苛环境下的应用,如汽车电子、工业自动化和通信设备。该MOSFET的栅极驱动电压范围为±12V,通常在10V驱动电压下工作,以确保充分导通并降低导通损耗。其高电流承载能力(可达100A)使它适用于高功率密度的设计,尤其适合用于多相DC-DC转换器和服务器电源系统。
  该器件还具备较高的抗静电能力和过热保护性能,确保在极端条件下的可靠运行。其封装形式符合RoHS标准,支持无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。

应用

IR3M02N广泛应用于需要高效能功率管理的场合。其主要应用包括但不限于:
  ? 多相DC-DC降压转换器(如VRM、VRD)
  ? 服务器和电信设备的电源系统
  ? 电池管理系统(BMS)
  ? 电动工具和电动车的电机控制
  ? 高功率负载开关
  ? 工业自动化和电机驱动器
  ? 高效电源适配器和充电器
  该器件的低RDS(on)和高电流能力使其成为高性能电源转换系统的理想选择。

替代型号

BSC028N06NS5、BSC032N06NS5、IPD60R028C7、IR3MR02N

IR3M02N推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价