IR3M02N 时间：2025/8/27 23:42:47 阅读：26

IR3M02N是一款由Infineon Technologies生产的功率MOSFET，属于其OptiMOS?系列的一部分。该器件设计用于高效率、高功率密度的电源转换应用，例如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等。IR3M02N采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，使其在高电流条件下仍能保持稳定运行。该MOSFET为N沟道增强型，封装形式为PG-TDSON-8（也称为SuperSO8），具有良好的散热性能和空间利用率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：25V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：100A
　　RDS(on)（最大值）：2.2mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（Ptot）：60W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：PG-TDSON-8（SuperSO8）

特性

IR3M02N的核心特性在于其卓越的导通性能和热管理能力。该器件的RDS(on)仅为2.2mΩ，在高电流条件下可显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。由于采用了Infineon专有的OptiMOS?技术，该MOSFET在保持低导通电阻的同时，还具备出色的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。此外，其SuperSO8封装设计具有良好的热传导性能，有助于在高负载条件下保持稳定的温度表现。
　　IR3M02N的工作温度范围宽广（-55°C至150°C），适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、工业自动化和通信设备。该MOSFET的栅极驱动电压范围为±12V，通常在10V驱动电压下工作，以确保充分导通并降低导通损耗。其高电流承载能力（可达100A）使它适用于高功率密度的设计，尤其适合用于多相DC-DC转换器和服务器电源系统。
　　该器件还具备较高的抗静电能力和过热保护性能，确保在极端条件下的可靠运行。其封装形式符合RoHS标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。

应用

IR3M02N广泛应用于需要高效能功率管理的场合。其主要应用包括但不限于：
　　? 多相DC-DC降压转换器（如VRM、VRD）
　　? 服务器和电信设备的电源系统
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 电动工具和电动车的电机控制
　　? 高功率负载开关
　　? 工业自动化和电机驱动器
　　? 高效电源适配器和充电器
　　该器件的低RDS(on)和高电流能力使其成为高性能电源转换系统的理想选择。