工作频率：2.3 GHz 至 2.7 GHz
　　输出功率：典型值为 32 dBm（0.625 W）
　　增益：典型值为 25 dB
　　效率（PAE）：典型值为 20%
　　供电电压：+28V
　　输入驻波比（VSWR）：1.5:1 最大
　　输出驻波比（VSWR）：1.5:1 最大
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

SC112CSK-50TR 是一款高性能的 GaAs HEMT 射频功率放大器，能够在 2.3 GHz 到 2.7 GHz 的宽频段范围内提供稳定的高功率输出。该芯片在设计上采用了先进的 GaAs（砷化镓）工艺，使其在高频工作下依然具备良好的线性度和效率。其典型输出功率为 32 dBm（即 0.625 W），在需要中等功率放大的通信系统中表现出色。该器件的增益典型值为 25 dB，确保了从前级信号到输出端的高效放大。
　　该功率放大器的工作电压为 +28V，适合与多种射频前端模块配合使用。其输入和输出驻波比（VSWR）均控制在 1.5:1 以内，表明其良好的阻抗匹配性能，有助于减少信号反射并提升系统稳定性。SC112CSK-50TR 的封装设计为表面贴装型（SMD），适合自动化生产流程，同时具备良好的散热性能，适用于高密度 PCB 布局。
　　该芯片的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，满足工业级温度要求，可在严苛的环境条件下稳定运行。其高可靠性和宽温适应性使其广泛应用于无线基础设施、军事通信、测试设备以及卫星通信系统中。

SC112CSK-50TR 主要用于各类无线通信系统中的射频功率放大环节。其典型应用包括但不限于：无线基站的射频前端放大器、点对点微波通信系统、WiMAX 基站、LTE 通信系统、宽带无线接入设备、测试测量仪器以及军事通信设备。由于其在高频段具有良好的线性度和效率，该器件也常用于需要中等功率放大的科研与工业应用中。

MRF6S27050N, HMC358MS8E, RFPA2843