类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.038Ω @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：40nC
　　功率耗散（PD）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220
　　技术：增强型MOSFET

SBT20100LCT MOSFET具备多项优良特性，适用于高功率和高效率的电子系统设计。首先，其100V的漏源电压耐受能力使其能够承受较高的电压应力，适用于多种电源转换拓扑结构，如Boost、Buck和半桥结构。此外，其低导通电阻（RDS(on)）仅为0.038Ω，可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其在大电流应用中表现突出。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为40nC，这有助于降低开关损耗，使其适用于高频开关应用。在高开关频率下，MOSFET的动态损耗通常成为限制效率的关键因素，而SBT20100LCT通过优化栅极设计和内部结构，实现了较低的Qg值，从而提高了整体效率。
　　在封装方面，SBT20100LCT采用标准的TO-220封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于在各种PCB布局中安装。此外，其最大漏极电流为20A，适用于中高功率负载的应用，如电源适配器、电池管理系统和工业控制电路。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至+175°C，具有良好的温度适应性，可在极端环境下稳定运行。同时，其功率耗散能力为160W，表明其在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性，避免因过热导致的性能下降或损坏。

SBT20100LCT MOSFET广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中。其主要应用包括：DC-DC转换器中的主开关或同步整流器，用于提高转换效率并减小系统尺寸；电池管理系统中的高侧或低侧开关，以实现对电池充放电的高效控制；电机驱动电路中的H桥结构，用于工业自动化和电动工具；以及电源适配器、LED照明驱动和工业控制电源中的功率开关。此外，由于其优异的热性能和高频特性，该器件也适用于谐振转换器和软开关拓扑结构，如LLC谐振转换器。

IRF1405, FDP20N10, FQP20N10L, STP20NK10Z