时间：2025/8/15 0:51:11
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SBT10150LFCT是一款由Vishay Siliconix制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。SBT10150LFCT采用紧凑的PowerPAK SC-70封装，适合空间受限的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：5.6A
导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.4V至2.5V
功耗（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：PowerPAK SC-70
SBT10150LFCT具有多项优异特性，首先，其低导通电阻确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该MOSFET采用TrenchFET技术，使器件在小型封装中实现更高的性能和更低的导通电阻。此外，其栅极阈值电压在1.4V至2.5V之间，适用于多种驱动电路，具备良好的兼容性。
该器件的封装形式为PowerPAK SC-70，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局。此外，SBT10150LFCT具有良好的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。该MOSFET还具备较高的耐用性和可靠性，适合在恶劣环境中使用，如工业控制和汽车电子应用。
SBT10150LFCT主要应用于多种电力电子系统中，例如同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机驱动器。其高效率和低导通电阻特性使其成为便携式设备和节能电源系统的理想选择。在电源管理模块中，该MOSFET可有效提升能效并延长电池寿命。此外，它还可用于工业自动化设备中的开关控制和功率调节电路。
Si2302DS, FDN340P, 2N7002, AO3400A
