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SBR3A40SA 发布时间 时间:2025/12/26 9:49:02 查看 阅读:9

SBR3A40SA是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的肖特基势垒整流二极管,采用表面贴装封装,广泛应用于电源转换、直流-直流转换器以及反向电压保护等场景。该器件以低正向压降和快速开关特性著称,能够有效提升系统效率并减少热损耗。SBR3A40SA采用紧凑的SMC(DO-214AB)封装,适合高密度PCB布局,适用于空间受限的设计环境。该二极管专为中等电流应用设计,额定平均整流电流为3A,最大反向重复峰值电压为40V,使其在低压大电流整流应用中表现出色。由于其肖特基结构,SBR3A40SA不具备传统PN结二极管的少数载流子存储效应,因此在高频开关电路中可显著降低开关损耗,提高整体能效。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅及其他有害物质,适用于现代绿色电子产品制造。SBR3A40SA常用于开关电源(SMPS)、续流与箝位电路、极性反转保护以及电池充电管理等应用场景,是工业控制、消费电子和通信设备中的理想选择之一。

参数

类型:肖特基二极管
  配置:单个
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  最大均方根电压(VRMS):28V
  最大平均整流电流(IO):3A
  峰值浪涌电流(IFSM):60A
  最大正向压降(VF @ IF):570mV @ 3A, 1.2V @ 3A
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 40V, 25°C
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
  热阻(RθJA):约40°C/W
  封装/外壳:SMC(DO-214AB)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

SBR3A40SA的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构利用金属-半导体接触形成整流结,而非传统的P-N结。这使得器件在导通时具有更低的正向压降,典型值仅为570mV,在3A电流下功耗远低于普通整流二极管,从而显著提升了电源系统的转换效率。低VF特性还减少了热产生,有助于简化散热设计,甚至在某些应用中无需额外散热器即可稳定运行。
  该器件具备优异的开关性能,由于没有少数载流子的积累与复合过程,其反向恢复时间几乎可以忽略不计,属于“零反向恢复”或“超快恢复”类别。这一特性使其非常适合用于高频开关电源拓扑,如Buck、Boost和Flyback转换器,能有效抑制因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统稳定性与可靠性。
  SBR3A40SA的SMC封装不仅体积小巧,而且具备良好的热传导能力,通过底部焊盘可将热量有效传递至PCB地层进行散热。其机械强度高,抗热冲击能力强,适合自动化贴片生产流程。该器件的工作温度范围宽达-65°C至+150°C,可在极端环境下保持稳定性能,适用于工业级和部分汽车级应用。
  此外,SBR3A40SA通过了多项国际认证,符合AEC-Q101应力测试标准(视具体批次而定),具备较高的可靠性和长期使用寿命。其低漏电流设计在高温条件下仍能保持较好表现,确保在待机或轻载状态下功耗较低。综合来看,SBR3A40SA是一款高性能、高性价比的低压肖特基整流二极管,适用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的应用场景。

应用

SBR3A40SA广泛应用于各类电力电子系统中,尤其适合低压大电流的整流与续流场合。在开关模式电源(SMPS)中,它常被用作输出整流二极管,特别是在次级侧同步整流尚未普及或成本受限的设计中,SBR3A40SA凭借其低正向压降优势可有效提升效率。在DC-DC转换器模块中,无论是降压(Buck)、升压(Boost)还是升降压(Buck-Boost)拓扑,该器件均可作为自由轮转二极管使用,提供电流回路路径,防止电感反电动势损坏主开关管。
  在电池供电设备中,SBR3A40SA可用于防止电池反接造成电路损坏,实现极性保护功能。由于其正向压降低,相比传统硅二极管可减少不必要的电压损失,延长电池续航时间。该器件也常见于适配器、充电器、LED驱动电源等消费类电子产品中,承担整流与箝位任务。
  在工业控制系统中,SBR3A40SA可用于继电器或电磁阀的续流保护,吸收感性负载断开时产生的反向电动势,保护控制芯片免受高压冲击。此外,在太阳能充电控制器、UPS不间断电源以及通信基站电源单元中,该二极管也能发挥高效的能量转换作用。
  得益于其表面贴装封装和高可靠性,SBR3A40SA同样适用于汽车电子应用,例如车载充电器、DC-DC变换器和车身控制模块等,能够在振动、温度变化剧烈的环境中稳定工作。总之,SBR3A40SA是一款通用性强、适应面广的功率整流器件,是现代高效电源设计中的关键元件之一。

替代型号

SS340, SB340, MBR340, B340A, PMEG3030CPH

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