型号：PR104K281D-TR
　　制造商：Vishay Siliconix
　　器件类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A (Ta=25°C)
　　脉冲漏极电流(IDM)：-4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：115mΩ (VGS = -4.5V, ID = -1.0A)
　　导通电阻(RDS(on))：145mΩ (VGS = -2.5V, ID = -0.8A)
　　阈值电压(VGS(th))：-0.8V ~ -1.5V
　　输入电容(Ciss)：290pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
　　输出电容(Coss)：150pF
　　反向恢复时间(trr)：未指定
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装/包装：SOD-323 (SC-76)
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　通道数：单通道
　　极性：P沟道
　　功率耗散(PD)：300mW (Ta=25°C)

PR104K281D-TR采用了Vishay成熟的TrenchFET工艺技术，这种先进的制造工艺能够在极小的芯片尺寸上实现更低的导通电阻和更高的电流密度，从而显著提升器件的整体能效表现。其核心优势之一是在标准逻辑电平驱动条件下仍能保持优异的导通性能，尤其是在?2.5V栅极电压下，RDS(on)仅为145mΩ，使得它非常适合用于由3.3V或更低电压系统直接控制的应用场合，无需额外的电平转换电路或专用驱动器，简化了整体设计复杂度并降低了BOM成本。该器件还表现出出色的开关特性，包括较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高高频工作的响应速度，特别适合用于同步整流、负载切换和快速启停控制等动态操作场景。
　　另一个关键特性是其高度集成的小型封装——SOD-323，这不仅节省PCB空间，还有助于缩短走线长度，降低寄生电感和电磁干扰风险，提升系统稳定性。尽管体积小巧，但该器件在热设计方面依然表现出色，在良好布局条件下可通过PCB铜箔有效散热，满足实际应用中的热管理需求。此外，PR104K281D-TR具备良好的抗雪崩能力和过压耐受性，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。所有参数均经过严格测试，并在宽温度范围内保证一致性，确保在?55°C至+150°C的工作结温区间内可靠运行，适应从极寒户外到高温密闭环境的各种应用场景。最后，该器件通过AEC-Q101认证，意味着其制造流程和质量控制达到了汽车行业标准，可用于汽车信息娱乐系统、传感器电源管理、车身电子模块等领域，进一步拓展了其应用边界。

PR104K281D-TR主要应用于需要高效、紧凑型P沟道MOSFET解决方案的各类电子产品中。在便携式设备领域，如智能手机和平板电脑中，常被用作电池与主电源之间的负载开关或背光LED驱动电路中的控制开关，利用其低RDS(on)和逻辑电平驱动能力实现高效的电源通断管理，延长电池续航时间。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，该器件用于电源路径选择或多路供电系统的隔离控制，因其小型封装能够完美契合微型化设计趋势。
　　在无线通信设备方面，例如蓝牙耳机、Wi-Fi模块和IoT终端节点中，PR104K281D-TR可用于射频前端电源的开启/关闭控制，以降低待机功耗，提升整体能效。此外，在工业和医疗手持设备中，该器件也广泛用于DC-DC降压变换器的高端开关位置，配合控制器实现稳定的电压调节功能。由于其通过AEC-Q101认证，该MOSFET同样适用于汽车电子系统，比如车灯控制模块、电动后视镜电源管理、车载传感器供电单元等低温低压环境下的电源切换任务。同时，得益于其良好的热稳定性和电气性能一致性，该器件也可用于多路电源冗余设计、热插拔保护电路以及电池充电管理系统中的反向电流阻断功能，发挥其快速响应和低静态损耗的优势。

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　　 "SI2301ADS-T1-E3",
　　 "DMG2301U",
　　 "AO3401A",
　　 "FDD8858",
　　 "BSS84"
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