时间：2025/12/26 9:07:47
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SBR30200CTFP是一款由Diodes Incorporated生产的高电流、高效率肖特基势垒整流器，采用TO-277B（D2PAK）表面贴装封装。该器件专为需要大电流处理能力和低正向电压降的电源应用而设计，适用于开关模式电源（SMPS）、逆变器、直流-直流转换器以及极性保护电路等场景。其双共阴极配置结构使其特别适合中心抽头整流拓扑，能够有效减少元件数量并优化PCB布局空间。SBR30200CTFP具备优良的热性能和高功率密度特性，可在较宽的工作温度范围内稳定运行，满足工业级与消费类电子产品的可靠性要求。
该器件的最大重复反向电压为200V，额定平均整流电流可达30A，适用于中高功率应用场景。其低VF特性有助于降低导通损耗，提升系统整体能效，并减少散热需求。此外，TO-277B封装支持自动化贴片生产，具有良好的焊接可靠性和散热能力，适合回流焊工艺。产品符合RoHS环保标准，无卤素（Halogen-free），并在制造过程中遵循严格的品质控制流程，确保长期供货稳定性与批次一致性。
类型：双共阴极肖特基整流器
最大重复反向电压（VRRM）：200V
最大均方根电压（VRMS）：140V
最大直流阻断电压（VDC）：200V
最大平均整流电流（IF(AV)）：30A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：150A（@8.3ms半正弦波）
最大正向电压降（VF）：0.92V @ 15A, Tc=25°C（每芯片）
典型开启电压（VT）：约0.3V
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 25°C；100mA @ 125°C（每个芯片）
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
热阻抗（RθJC）：约1.0°C/W（典型）
封装形式：TO-277B（D2PAK）
安装方式：表面贴装（SMD）
引脚数：3
符合标准：RoHS合规、无卤素
SBR30200CTFP的核心优势在于其高性能肖特基势垒结构所带来的低正向压降与快速开关响应能力。这种结构避免了传统PN结二极管中的少数载流子存储效应，从而实现了近乎瞬时的反向恢复时间（trr可忽略不计），极大减少了高频开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。在高频率工作的电源系统中，如DC-DC变换器或光伏逆变器中，这一特性显著提升了转换效率，并允许使用更小的滤波元件以缩小整体电源体积。
该器件采用双共阴极配置，两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极端子，非常适合用于全波中心抽头整流电路。相比传统的桥式整流方案，共阴极结构仅需两个二极管即可完成整流功能，减少了导通路径上的压降损失和PCB布线复杂度，同时提高了系统的功率密度。此外，由于每个芯片可承载高达15A的平均电流，在并联使用时总电流能力达到30A，适用于大电流输出场景。
TO-277B封装不仅提供了优异的散热性能，还支持自动化贴片工艺，适用于现代高密度SMT生产线。底部暴露焊盘可直接连接至PCB上的大面积铜箔进行高效热传导，有效降低热阻，提升长期运行的可靠性。器件可在-65°C至+175°C的结温范围内稳定工作，适应严苛环境下的工业与车载应用需求。其反向漏电流随温度升高有所增加，但在正常设计裕量下仍处于可控范围，可通过合理散热管理进一步抑制温升影响。
SBR30200CTFP广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于对效率和热性能有较高要求的设计场景。常见用途包括服务器电源、通信设备电源模块、工业控制系统供电单元以及太阳能逆变器中的次级整流部分。其低正向压降特性使其成为DC-DC降压或升压转换器中同步整流的理想替代选择之一，尤其是在无法采用MOSFET同步整流架构时，能最大限度地减少功耗损失。
在电动汽车充电设施、LED驱动电源及UPS不间断电源系统中，该器件可用于高频整流环节，凭借其快速响应能力和高电流承载性能保障系统稳定运行。此外，由于其具备较强的浪涌电流承受能力（IFSM达150A），也能应对开机瞬间的大电流冲击，提高系统鲁棒性。在电池管理系统（BMS）或电机驱动电路中，它还可作为防反接保护二极管使用，防止电源极性接反导致后级电路损坏。
因其表面贴装封装形式，SBR30200CTFP特别适合自动化量产环境，广泛用于需要回流焊工艺的高端电子产品制造中。无论是通信基站电源、医疗设备电源还是工业自动化设备，该器件都能提供可靠的整流解决方案，并在高温、高湿或振动环境中保持稳定的电气性能。
SB30200CT-DIO
VS-30CPQ200FN-M3
MBR30200F
