时间：2025/12/26 8:50:56
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SBR20150CTFP是一款高性能的肖特基势垒二极管，采用中心抽头（Center-Tapped）结构设计，适用于高效率、大电流的直流到直流转换应用。该器件由两个独立的肖特基二极管集成在一个封装内，共用一个阴极输出，适合用于同步整流或全波整流电路中。SBR20150CTFP具有低正向压降、快速开关响应和高反向击穿电压等优点，广泛应用于开关电源、DC-DC变换器、逆变器以及各种高密度电源系统中。其封装形式为TO-277（DPAK-3），具备良好的热传导性能，能够在较高环境温度下稳定工作。该器件无铅环保，符合RoHS指令要求，适合现代绿色电子产品的制造需求。
该型号中的“SBR”通常代表肖特基整流二极管系列，“20”表示额定平均整流电流为20A，“150”表示最大重复反向电压为150V，“C”表示中心抽头结构，“T”可能代表特殊工艺或技术类型，“F”和“P”则可能与封装或产品版本相关。整体来看，SBR20150CTFP是一款面向中高功率应用场景的高效能整流器件，特别适合在需要降低导通损耗和提升系统效率的设计中使用。
器件类型：双肖特基势垒二极管（中心抽头）
最大重复反向电压（VRRM）：150V
平均整流电流（IO）：20A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A（单脉冲，8.3ms半正弦波）
最大正向压降（VF）：0.54V @ 10A, 25°C
最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 150V, 25°C；10mA @ 150V, 125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻（RθJC）：1.5°C/W（典型值）
封装形式：TO-277（DPAK-3）
引脚数：3
安装方式：表面贴装（SMD）
SBR20150CTFP的核心特性之一是其低正向导通压降，在10A电流下典型值仅为0.54V，这显著降低了整流过程中的功率损耗，提升了电源系统的整体效率。由于采用肖特基势垒技术，该器件不存在少子存储效应，因此具有极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，适用于高频开关电源应用。此外，其中心抽头结构使得它非常适合用于全波整流拓扑，例如在LLC谐振变换器或同步Buck/Boost电路中作为次级侧整流元件。
该器件具备高达20A的持续整流电流能力，并能承受80A的瞬态浪涌电流，表现出优异的电流承载能力和抗冲击性能。其最大反向耐压达到150V，适用于12V、24V、48V等常见工业和通信电源系统。热阻参数RθJC仅为1.5°C/W，说明其从芯片结到外壳的热传导效率非常高，配合适当的PCB散热设计，可在高温环境下长期稳定运行。TO-277封装不仅节省空间，还支持自动化贴片生产，提高了制造效率。
SBR20150CTFP的工作结温范围宽达-65°C至+125°C，确保了在极端环境条件下的可靠性。同时，其反向漏电流在高温下控制得当，在125°C时仍不超过10mA，避免了因漏电增大而导致的热失控风险。该器件通过AEC-Q101等车规级可靠性测试的可能性较高，适用于汽车电子中的辅助电源模块。另外，产品符合RoHS标准，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对环保的要求。
SBR20150CTFP主要应用于各类高效率、高频率的直流电源转换系统中。典型用途包括通信设备中的48V转12V或5V的中间母线转换器（Intermediate Bus Converter, IBC），这类系统要求低损耗整流以提高整体能效。在服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）中，该器件可用于同步整流结构，替代传统MOSFET驱动复杂方案，简化设计并降低成本。
在太阳能逆变器、UPS不间断电源和工业电源模块中，SBR20150CTFP可作为输出整流二极管使用，特别是在需要150V耐压等级的应用场景中表现优异。其高电流处理能力也使其适用于电动工具、电动汽车车载充电机（OBC）以及电池管理系统中的辅助电源部分。
此外，该器件还可用于LED驱动电源、笔记本电脑适配器、LCD背光电源等消费类电子产品中，尤其是在追求小型化和高效率的设计中具有明显优势。由于其表面贴装封装形式，便于实现自动化生产和紧凑布局，适合现代高密度PCB设计需求。在一些高频DC-DC变换器拓扑如Forward、Flyback或Push-Pull电路中，SBR20150CTFP能够有效减少开关损耗，提升动态响应性能。总体而言，该器件适用于所有需要高电流、低损耗、快速响应的整流场合。
SBRT20150CTFP
MBR20150CT
SS220HE3_A/H
