时间：2025/12/26 12:01:29
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SBR130S3是一款表面贴装的肖特基势垒二极管，采用SOD-323封装，适用于小功率整流和信号处理应用。该器件具有低正向压降和快速开关特性，能够有效提升电路效率并减少能量损耗。SBR130S3广泛用于便携式电子设备、电源管理电路、DC-DC转换器以及高频整流场合。其小型化封装设计使其非常适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。该二极管通常由半导体硅芯片制成，通过铂或钛等金属形成肖特基接触，从而实现较低的开启电压和较高的开关速度。在实际应用中，SBR130S3可用于防止反向电流、极性保护、续流二极管以及电压钳位等功能。由于其无恢复电荷特性，反向恢复时间几乎为零，因此特别适合高频开关环境下的高效能需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于现代绿色电子产品制造流程。SBR130S3的工作温度范围较宽，能够在-55°C至+150°C的环境下稳定运行，确保在各种严苛条件下的可靠性能表现。
型号：SBR130S3
封装类型：SOD-323
是否无铅：是
是否符合RoHS：是
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-65°C ~ +150°C
最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
最大直流阻断电压（VR）：30V
最大均方根电压（VRMS）：21V
最大平均整流电流（IO）：200mA
最大正向连续电流（IF）：200mA
最大非重复峰值正向电流（IFSM）：0.5A
最大正向压降（VF）@ 200mA：450mV
最大反向漏电流（IR）@ 25°C：50μA
最大反向漏电流（IR）@ 125°C：1.0mA
结电容（Cj）@ 4V：约20pF
反向恢复时间（trr）：典型值<1ns
SBR130S3的核心优势在于其低正向导通压降与极快的开关响应能力。由于采用了先进的肖特基势垒技术，该二极管在正向导通时仅需约450mV即可通过200mA电流，相比传统PN结二极管（通常在600mV以上），显著降低了功耗与发热，提高了整体系统能效。这对于电池供电设备如智能手机、蓝牙耳机、可穿戴设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，由于肖特基二极管没有少数载流子储存效应，其反向恢复时间极短，典型值小于1纳秒，几乎不存在反向恢复电荷（Qrr），这使得它在高频开关电源、DC-DC变换器和PWM控制电路中表现出色，避免了因反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰问题。
另一个关键特性是其微型SOD-323封装，尺寸仅为约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm，占用PCB面积小，便于实现紧凑型设计。这种封装还具备良好的散热性能，在合理布局下可满足连续200mA电流工作的热要求。器件可在-55°C至+150°C宽温范围内稳定工作，适用于工业级、消费级乃至部分汽车电子应用场景。此外，该器件具有较低的结电容（约20pF），有利于高频信号传输中的失真抑制，适合用于射频检波、信号解调等模拟电路。其反向漏电流在常温下仅为50μA，在高温125°C时上升至1.0mA，虽高于普通整流管，但在多数应用中仍处于可接受范围。总体而言，SBR130S3以其高效率、小体积、快速响应和良好温度适应性，成为现代低功耗、高集成度电子系统中的理想选择。
SBR130S3广泛应用于各类低电压、小电流的高频整流与信号处理场景。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源极性保护电路，防止电池接反而损坏内部IC；在USB供电路径管理中作为防倒灌二极管使用；在DC-DC升压或降压模块中充当续流二极管，利用其快速恢复特性降低开关损耗，提高转换效率；也可用于AC-DC小功率适配器中的次级整流环节，尤其是在输出电压低于5V的应用中发挥低VF的优势。此外，该器件适用于信号解调电路，例如在无线遥控接收端进行AM信号检波；在数字逻辑电路中用作电平钳位或噪声抑制元件；在传感器接口电路中防止感应电压反冲对敏感器件造成损害。由于其SOD-323封装支持自动化贴片生产，因此非常适合大批量SMT工艺制造的产品，如智能手环、TWS耳机、物联网模块、LED驱动板等。在汽车电子领域，可用于车身控制模块中的低功耗电源管理单元，前提是工作环境温度在其额定范围内。总之，凡是对空间、效率和响应速度有较高要求的小功率应用，SBR130S3都是一个可靠且经济的选择。
RB751S30
