晶体管类型：双NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：40V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：60V
　　发射极-基极电压（Vebo）：6V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益（hFE）：100-300（根据具体等级划分）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-363

MMDT3904晶体管具有多项优异特性，使其在电子电路设计中表现出色。首先，其双晶体管结构在同一芯片上集成，确保了良好的匹配性和一致性，这对于差分放大器和双极性电路设计至关重要。其次，该器件具有较高的过渡频率（fT）达100MHz，适合用于中高频放大电路，能够满足大多数通用放大和开关需求。此外，MMDT3904的SOT-363小型封装不仅节省空间，而且便于表面贴装，适用于高密度PCB布局。该器件的增益范围为100至300，具有良好的线性放大能力，同时支持最大100mA的集电极电流，足以驱动轻负载。MMDT3904还具有较高的集电极-发射极电压耐受能力（40V），确保其在多种电路环境下稳定工作。最后，该晶体管具备较高的可靠性和热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常运行，适用于工业级和消费级电子产品。

MMDT3904晶体管适用于多种电子电路设计场景。其最常见的应用包括低频放大电路，用于音频放大器、信号调理电路和传感器接口模块。由于其良好的匹配性和一致性，该器件非常适合用于差分放大器和运算放大器的前端设计，提高电路的共模抑制比和稳定性。此外，MMDT3904也常用于逻辑电平转换电路，将不同电压标准的数字信号进行适配，例如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号。在驱动电路中，该晶体管可作为低功率MOSFET或继电器的前置驱动器，实现高效开关控制。其SOT-363小型封装使其成为便携式设备、智能家居产品和可穿戴设备的理想选择。除此之外，MMDT3904也可用于电源管理电路、LED驱动电路、电压调节器和电池充电器等应用场景。

MMDT3906, 2N3904, BC847, BC817