类型：肖特基势垒二极管
　　配置：双共阴极
　　最大反向重复电压（VRRM）：60V
　　最大直流阻断电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO per diode）：5A
　　总平均整流电流（IO total）：10A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A
　　最大正向压降（VF）：0.83V @ 5A, TJ=125°C
　　最大反向漏电流（IR）：1.0mA @ 60V, TJ=125°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-277 (DPAK)
　　安装方式：表面贴装

SBR1060CT的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力的结合，这使得它在现代高效电源设计中表现出色。其正向压降在额定电流下仅为约0.83V（测试条件为5A，结温125°C），远低于传统硅PN结二极管的0.9V~1.2V水平，这意味着在相同负载条件下可显著减少导通损耗，提高整体能效。例如，在一个输出电流为10A的同步降压变换器中，若使用传统二极管，仅单个二极管的导通损耗就可能达到5W以上，而SBR1060CT则能将此损耗控制在4.15W左右，节省近1W的能量，并相应减少散热需求。
　　该器件的另一个关键特性是其极短的反向恢复时间（trr），典型值小于5纳秒。由于肖特基二极管依赖金属-半导体结而非P-N结，其载流子机制主要基于多数载流子（电子）的运动，不涉及少数载流子的注入与复合过程，因此几乎不存在反向恢复电荷（Qrr）。这一特性极大降低了开关瞬间产生的瞬态电流尖峰和电压振铃现象，有助于改善电磁兼容性（EMC）性能，减少滤波元件的需求，同时允许更高的开关频率运行，从而缩小磁性元件和电容的体积，实现更紧凑的电源设计。
　　从结构上看，SBR1060CT采用TO-277封装，具有较大的暴露焊盘，可通过PCB上的铜箔区域进行有效散热。其热阻特性优异，例如RθJC（结到外壳）约为2.5°C/W，配合合理的PCB布局（如多层地平面、过孔阵列等），可将工作结温维持在安全范围内。此外，该器件支持自动化贴片生产流程，适用于回流焊工艺，提升了大规模生产的可制造性和一致性。
　　值得注意的是，尽管肖特基二极管具有诸多优点，但其反向漏电流相对较高，尤其是在高温环境下。SBR1060CT在125°C时的最大反向漏电流可达1mA，因此在高环境温度应用中需注意功耗平衡与热管理设计。此外，其最大反向电压限制在60V，不适合高压场合，但在48V及以下的分布式电源系统中表现尤为出色。

SBR1060CT因其高效的整流性能和紧凑的封装形式，被广泛应用于多种电力电子场景。首先，在开关模式电源（SMPS）中，它常用于次级侧整流环节，特别是在单端正激、推挽或半桥拓扑中作为输出整流二极管。由于其低VF特性，能够在大电流输出条件下保持较低温升，提升电源效率，满足能源之星或80 PLUS等能效认证要求。其次，在DC-DC转换器中，尤其是非隔离式降压（Buck）或升压（Boost）电路中，SBR1060CT可用作续流二极管（Freewheeling Diode），在开关管关断期间为电感电流提供通路，防止电压反冲损坏主控芯片。其快速响应能力有效抑制了电压过冲，增强了系统稳定性。
　　在服务器电源、通信基站电源、工业电源模块等中等功率电源系统中，SBR1060CT凭借其10A总电流能力和良好的热性能，成为主流选择之一。此外，该器件也适用于电池充电电路、太阳能微逆变器、LED驱动电源以及电机驱动器中的箝位保护电路。在汽车电子领域，随着车载电源系统向48V发展，SBR1060CT可用于轻混动力系统的DC-DC转换器中，实现高效能量转换。由于其表面贴装封装适合自动化组装，也便于在紧凑型模块化电源设计中集成。总之，任何需要低损耗、快速响应和高可靠性的低压大电流整流场合，都是SBR1060CT的理想应用领域。

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　　 "SB1060CT",
　　 "MBR1060CT",
　　 "SR1060",
　　 "B340LB-13-F",
　　 "SS16-SMC"
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