类型：肖特基势垒二极管
　　配置：中心抽头双二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：45V
　　最大RMS电压（VRMS）：32V
　　最大直流阻断电压（VDC）：45V
　　最大平均整流电流（IO）@ TC=100°C：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）@ 8.3ms：150A
　　最大正向电压降（VF）@ IF=10A, TJ=25°C：0.55V
　　最大反向漏电流（IR）@ VR=45V, TJ=25°C：0.5mA
　　最大反向漏电流（IR）@ VR=36V, TJ=125°C：500μA
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装：TO-277A（D-Pak）

SBR1045CTL的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，该技术通过金属-半导体结而非PN结构实现单向导电性，从而显著降低正向导通压降，通常在大电流条件下仅为0.55V左右，远低于传统硅整流二极管的0.7V~1.2V水平。这一特性直接提升了电源系统的整体效率，尤其在低电压、大电流输出的应用中效果更为明显。例如，在12V/10A的电源输出条件下，使用SBR1045CTL相比普通二极管可减少数瓦的功耗，极大缓解散热设计压力。同时，由于肖特基二极管不存在少子存储效应，其反向恢复时间几乎为零，理论上没有反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），这不仅消除了开关过程中的能量损耗，还减少了因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰，有助于提升系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　该器件采用中心抽头结构，内部集成两个相同的肖特基二极管共阴极连接，特别适用于全波整流电路，例如在同步整流或中心抽头变压器拓扑中替代两个分立二极管，节省PCB布局空间并简化装配工艺。其TO-277A封装具有较大的散热焊盘，可通过PCB上的铜箔进行有效散热，确保在高负载条件下仍能稳定工作。器件的热阻特性优良，典型结到外壳热阻（RθJC）约为2.5°C/W，结合良好的PCB布局设计，可在较高环境温度下维持可靠运行。此外，SBR1045CTL具备较强的抗浪涌能力，150A的峰值浪涌电流能力可应对电源启动或负载突变时的瞬态冲击，提高了系统的鲁棒性。产品经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）等，确保长期使用的稳定性。

SBR1045CTL广泛应用于各类开关电源（SMPS）中，特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器中作为次级侧整流元件。常见应用场景包括服务器电源、通信电源、工业控制电源模块以及嵌入式系统电源。由于其低正向压降和高电流处理能力，它非常适合用于3.3V、5V或12V输出的整流电路，尤其是在采用中心抽头变压器的推挽或半桥拓扑结构中发挥关键作用。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）、逆变器、电池充电器等需要高效能量转换的设备。在便携式设备电源适配器中，SBR1045CTL能够帮助提升能效等级，满足能源之星（Energy Star）等节能认证要求。由于其表面贴装封装形式，该器件支持自动化回流焊工艺，适用于大规模生产制造。在汽车电子领域，尽管其工作结温上限为125°C，略低于汽车级AEC-Q101标准要求，但在部分非严苛车载电源应用中仍可考虑使用，前提是系统具备良好的热管理设计。此外，该器件还可用于防止反向电源连接的保护电路，利用其单向导通特性保障后级电路安全。

MBR1045CT