时间：2025/12/26 9:32:07
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SBR10150CT是一款由Semikron（赛米控）公司生产的高效率双共阴极肖特基势垒二极管模块，广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器和整流电路等高功率电子系统中。该器件采用TO-247封装形式，具备良好的热稳定性和电气性能，适用于需要低正向压降和快速恢复特性的应用场景。SBR10150CT内部集成了两个10A额定电流的肖特基二极管，以共阴极方式连接，适合在高频条件下工作的电源拓扑结构，如全波整流或同步整流辅助电路。该器件的设计注重能效提升与温升控制，在保证高可靠性的同时降低了整体系统损耗。其主要优势包括较低的导通损耗、优异的反向恢复特性以及较强的浪涌电流承受能力，能够在高温环境下稳定运行。此外，SBR10150CT符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色能源系统及工业级电力电子设备。
型号：SBR10150CT
制造商：Semikron
器件类型：双共阴极肖特基二极管
最大重复峰值反向电压（VRRM）：150V
平均整流电流（IF(AV)）：10A（单路）
总平均整流电流（IF(AV) total）：20A（双路共享散热）
最大正向压降（VF）：0.87V @ 10A, 125°C
峰值浪涌正向电流（IFSM）：150A @ 8.3ms sine
工作结温范围（Tj）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +175°C
热阻（Rth(j-c)）：约2.0 K/W（每芯片）
封装形式：TO-247AC
引脚数：3
极性配置：双共阴极（Common Cathode）
反向漏电流（IR）：≤1.0mA @ 150V, 25°C；≤100mA @ 150V, 150°C
SBR10150CT的核心特性在于其高性能的肖特基势垒结构设计，这种结构通过金属-半导体结替代传统的PN结，显著降低了正向导通压降（VF），从而有效减少功率损耗并提高电源系统的整体效率。该器件在10A电流下典型正向压降仅为0.87V左右，尤其在低电压输出电源应用中表现突出，例如用于12V或5V输出的DC-DC变换器次级侧整流。由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，因此不存在少数载流子存储效应，具有近乎瞬时的反向恢复时间（trr < 10ns），极大地抑制了开关过程中的反向恢复电荷（Qrr）和相关的电磁干扰（EMI）问题，使得其非常适合高频开关环境下的使用。
该器件采用双共阴极配置，即两个独立的10A肖特基二极管共享同一个阴极引脚，便于实现全波整流或中心抽头变压器的同步整流方案，简化电路布局并提升功率密度。TO-247封装具备优良的散热性能，允许通过外接散热片将热量迅速传导至外部环境，确保长时间大电流工作时的热稳定性。SBR10150CT的工作结温最高可达+175°C，表明其可在严苛的高温工业环境中可靠运行。同时，它具备高达150A的非重复浪涌电流耐受能力，能够应对开机瞬间的大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。
此外，该器件具有较低的反向漏电流，在常温下不超过1mA，即使在接近极限温度条件下也控制在合理范围内，避免因漏电导致的额外功耗上升。其热阻约为2.0 K/W（从结到外壳），有助于精确进行热设计和温升预测。整个模块经过优化设计，确保在高频率、高温、高湿度等多种复杂工况下的长期可靠性，并通过了严格的质量认证体系，满足工业级和部分汽车级应用的需求。
SBR10150CT因其高效的整流能力和良好的高频响应特性，被广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流环节，特别是在大电流低压输出场景下，如服务器电源、通信电源和工业电源模块等，可有效降低导通损耗，提升能效等级。在DC-DC转换器中，尤其是隔离式拓扑如正激、推挽或LLC谐振变换器中，该器件常用于同步整流的辅助整流路径或作为主整流元件，发挥其低VF和零反向恢复的优势。
此外，SBR10150CT也适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、电动工具驱动电源以及电池充电管理系统中，承担能量回馈或防倒灌功能。在电机驱动和变频器系统中，可用于续流或钳位保护电路，防止感性负载产生的反电动势损坏主开关器件。由于其具备较高的浪涌电流承受能力和宽泛的温度工作范围，该器件同样适用于车载电源系统或轨道交通设备中的辅助电源单元。另外，在LED照明驱动电源、医疗设备电源以及其他对EMI敏感的应用中，SBR10150CT凭借其低噪声特性和快速响应能力，成为理想的整流解决方案。
SK10D150CT
MBR10150CT
B510C150
