SBM3060UCT 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的高效、低功耗的同步整流肖特基势垒二极管(SR SBD)。该器件采用先进的沟槽式肖特基势垒技术,具有低正向压降和快速开关特性,适用于高效率的电源转换系统。SBM3060UCT 主要用于替代传统的肖特基二极管以提高能效,尤其适用于 DC-DC 转换器、服务器电源、电信电源系统以及电池充电电路。
型号:SBM3060UCT
最大重复峰值反向电压:60V
最大平均正向电流:30A
正向压降(IF=15A时):约0.28V
峰值浪涌电流:150A
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
存储温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-277
引脚数:3
安装类型:表面贴装(SMD)
SBM3060UCT 的核心优势在于其出色的能效表现。该器件采用了先进的沟槽式肖特基势垒结构(Trench Schottky Barrier, TSB),相较于传统肖特基二极管,显著降低了正向压降(VF)和漏电流(IR)。在 IF=15A 时,正向压降低至约 0.28V,大幅减少了导通损耗,从而提高了整体系统的能效。
此外,SBM3060UCT 具备优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。其最大工作温度可达 +175°C,非常适合在高功率密度和高温环境中使用,如服务器电源、工业自动化系统和电信设备等应用场合。
该器件还具有良好的抗浪涌能力,最大浪涌电流可达到 150A,增强了在突发负载或短路情况下的可靠性和耐用性。结合其紧凑的 TO-277 封装设计,SBM3060UCT 不仅节省了 PCB 空间,还便于散热设计,有助于提高整体系统的稳定性和寿命。
另一个重要特性是其同步整流功能。通过外部控制电路实现同步整流功能,SBM3060UCT 可以在反向恢复时间上优于传统二极管,从而减少开关损耗并提高转换效率。这种特性使其非常适合用于高频率工作的 DC-DC 转换器中,尤其是在 LLC 谐振转换器或同步整流拓扑中。
综合来看,SBM3060UCT 凭借其低 VF、高电流容量、高可靠性以及紧凑的封装设计,成为高性能电源系统中替代传统肖特基二极管的理想选择。
SBM3060UCT 广泛应用于多种高能效电源系统中,包括但不限于以下领域:
1. 高效率 DC-DC 转换器:用于服务器电源、通信电源、工业电源等场景,显著提升转换效率并降低功耗。
2. 电池充电系统:适用于电动车、储能系统、便携式设备等需要高效能电源管理的充电电路。
3. 电信设备:在基站电源、交换设备和不间断电源(UPS)中用于提高系统的整体能效。
4. 同步整流拓扑:与控制器配合使用于 LLC 谐振转换器、反激式转换器等拓扑结构中,提升效率并减少发热。
5. 工业自动化系统:用于高功率密度的工业控制电源和电机驱动系统中,增强系统的稳定性和寿命。
由于其优异的热管理和高电流能力,SBM3060UCT 特别适合在空间受限且对效率要求较高的应用中使用。
SBM3060UCT 可以被以下型号替代或替换:SBM4060CT、SBM3045CT、STPS30H100CG、MBR30H60CTG