类型：双共阴极肖特基二极管
　　封装：SMA（表面贴装）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均整流电流（IO）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（单半正弦波，8.3ms）
　　最大正向电压降（VF）：0.48V @ 1A, 25°C（典型值）；0.62V @ 1A, 125°C（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 30V, 25°C；500μA @ 30V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约150°C/W（典型PCB布局）
　　引脚数：2
　　极性配置：双共阴极

SBM30-03TR的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种结构通过金属-半导体结取代传统的PN结，从而显著降低了正向导通电压，通常在1A电流下仅为0.48V左右，远低于普通硅二极管的0.7V以上水平。这一特性直接减少了功率损耗，提升了电源系统的转换效率，尤其适用于电池供电或能效敏感型设备。由于没有少数载流子的储存效应，该器件表现出极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，因此在高频开关电源中可有效抑制电磁干扰（EMI）并降低开关应力。
　　该器件内部集成了两个独立的肖特基二极管，共用一个阴极连接，这种共阴极配置特别适用于全波整流电路或双通道同步整流拓扑中，在不增加额外元件的情况下实现更高的集成度。每个二极管均能承受高达30V的反向电压，满足大多数低压DC-DC变换器的需求，例如在12V或24V系统中作为续流或箝位二极管使用。同时，其1A的连续整流能力足以应对中小功率应用中的电流需求。
　　SBM30-03TR具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持较低的正向压降和可控的漏电流增长。即使在125°C结温条件下，最大正向压降也不超过0.62V，确保了高温工况下的可靠运行。反向漏电流虽然随温度升高而增加，但在正常工作范围内仍处于可接受水平，不会对系统性能造成显著影响。此外，该器件具有较强的浪涌电流承受能力，30A的峰值浪涌电流能力使其能够在瞬态过载或开机冲击情况下保持安全运行，增强了系统的鲁棒性。
　　SMA封装提供了优良的散热性能和机械强度，配合标准回流焊工艺即可完成装配，适用于大规模自动化生产。其小型化设计（约4.5mm x 2.6mm x 2.2mm）节省了宝贵的PCB空间，适合高密度布局的产品设计。整体结构经过优化，寄生电感和电阻较小，有利于高频性能表现。

SBM30-03TR广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子电路中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在低压大电流输出场景下，如USB充电模块、笔记本电脑适配器和嵌入式电源系统。由于其低正向压降特性，它也被用于电池充放电管理电路中，作为防反接或能量回馈路径的导通元件，以减少能量损耗。
　　在DC-DC转换器拓扑中，如降压（Buck）、升压（Boost）或反激式（Flyback）变换器中，SBM30-03TR常被用作续流二极管或箝位二极管，利用其快速响应能力防止电感反电动势损坏主控IC。此外，该器件还可用于逆变器、电机驱动电路中的感应负载保护，吸收感性负载断开时产生的反向电压尖峰。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表等便携设备中，SBM30-03TR因其小尺寸和高效率成为理想的电源管理辅助元件。工业控制系统中，该器件可用于PLC模块、传感器供电单元或隔离电源的二次侧整流。通信设备中的电源模块也常采用此类肖特基二极管来提升能效和可靠性。另外，由于其宽泛的工作温度范围，SBM30-03TR也适用于汽车电子外围电路（非引擎舱）或户外设备中的电源部分。

MBR130-TP
　　RB156U150M-TR
　　SS14-SMA