时间：2025/6/29 13:42:20
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IPD079N06L3G是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高效能功率转换应用。
这款MOSFET的工作电压为60V，适合在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中使用。其封装形式为PG-DSO-8，有助于提高散热性能并简化PCB设计。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：91A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷（典型值）：48nC
开关时间：ton=11ns, toff=26ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IPD079N06L3G具备超低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统的整体效率。
它还拥有快速的开关性能，支持高频操作，并且其高雪崩能力增强了器件的可靠性。
此外，该器件采用了符合RoHS标准的材料制造，满足环保要求。
由于其出色的热性能和电气特性，IPD079N06L3G非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。
该MOSFET广泛应用于各种领域，包括但不限于：
1. 汽车电子中的电机控制与电源管理。
2. 工业设备里的逆变器和不间断电源(UPS)。
3. 消费类电子产品的适配器和充电器。
4. 通信设备中的电源模块。
凭借其优异的性能表现，IPD079N06L3G成为许多高性能应用的理想选择。
IPW079N06L3G
