时间：2025/12/26 9:51:26
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SBL30L30CT是一款由ONSEMI（安森美）生产的高效率、双共阴极肖特基势垒整流二极管，专为高频率开关电源和高密度电源系统设计。该器件采用TO-277封装（表面贴装），具有较低的正向电压降和快速的反向恢复时间，适合用于大电流、低压输出的应用场合。其双共阴极结构允许在全波整流或倍压电路中使用，特别适用于DC/DC转换器、AC/DC适配器、服务器电源、笔记本电脑电源以及光伏逆变器等应用。SBL30L30CT的额定平均正向整流电流可达30A，反向重复峰值电压为30V，能够在高温环境下稳定运行，结温范围可达-65°C至+175°C，具备良好的热稳定性和可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于现代绿色电子产品的设计需求。
SBL30L30CT的封装设计优化了热性能，使其能够通过PCB有效散热，尤其适合自动化表面贴装工艺。其低损耗特性有助于提高整体电源效率，减少系统发热量，从而提升终端设备的能效等级。由于其高电流密度和紧凑封装，该器件在空间受限的高功率密度设计中表现出色。在同步整流难以实现或成本过高的场合，SBL30L30CT提供了一种高效且经济的替代方案。
器件类型：肖特基二极管
配置：双共阴极
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大直流反向电压（VR）：30V
平均整流电流（IF(AV)）：30A
峰值浪涌电流（IFSM）：150A
正向压降（VF）：典型值0.54V @ 15A, 最大值0.62V @ 15A, 25°C
反向漏电流（IR）：最大1.0mA @ 30V, 25°C；最大100mA @ 30V, 125°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装类型：TO-277
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：3
热阻（RθJC）：约1.0°C/W
符合标准：RoHS、无卤素
SBL30L30CT的核心优势在于其卓越的电学性能与先进的封装技术相结合，实现了高效率与高可靠性的统一。该器件采用肖特基势垒技术，利用金属-半导体结而非传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降（VF）。在15A电流下，典型VF仅为0.54V，最大不超过0.62V，这一低VF特性大幅减少了导通损耗，提升了电源系统的整体效率，尤其是在低压大电流输出的DC/DC转换器中效果尤为明显。由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎为零，极大地抑制了开关过程中的反向恢复电流尖峰和电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路设计并提高系统稳定性。
该器件采用双共阴极结构，即两个独立的肖特基二极管共享一个阴极引脚，这种配置非常适合中心抽头变压器的全波整流拓扑，常见于单端正激、推挽或半桥式开关电源中。相较于单个分立二极管，集成化设计不仅节省了PCB布局空间，还提高了装配效率，降低了生产成本。TO-277封装具有三个引脚，其中中间引脚通常连接到内部散热片并通过PCB大面积铜箔接地或连接到散热层，实现高效的热传导路径，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温。其热阻RθJC约为1.0°C/W，表明每消耗1瓦功率，结温仅比壳温升高约1°C，展现出优异的热管理能力。
SBL30L30CT具备出色的浪涌电流承受能力，IFSM高达150A，能够在电源启动或瞬态过载情况下安全运行而不发生热击穿。同时，其反向漏电流在高温下虽有所增加，但在正常工作范围内仍处于可接受水平，设计时需注意散热以控制漏电流增长。器件的工作结温范围宽达-65°C至+175°C，适应严苛的工业和汽车级应用环境。此外，该产品通过AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于车载充电器、DC-DC模块等对可靠性要求极高的场景。其材料符合RoHS和无卤素标准，满足全球环保法规要求，支持绿色制造流程。
SBL30L30CT广泛应用于各类高效率开关电源系统中，尤其适用于需要低压大电流输出的场合。典型应用场景包括：高性能AC/DC电源适配器、台式机与服务器电源单元（PSU）、笔记本电脑电源板、电信设备电源模块、工业控制电源、LED驱动电源以及光伏逆变器中的次级侧整流电路。在这些应用中，它常被用作二次侧同步整流的替代方案，特别是在成本敏感或控制复杂度受限的设计中。由于其低正向压降和快速响应特性，也适用于高频DC/DC降压变换器、隔离式电源的副边整流、电池充电管理系统以及UPS不间断电源系统。此外，在新能源汽车领域的车载充电机（OBC）和DC-DC转换器中也有潜在应用价值，前提是满足相应的车规认证要求。其表面贴装封装形式便于自动化生产和回流焊工艺，适合大规模制造。
MBR3030CTL,Fred,Diodes Inc|S30L30CT,Brightking|SBT3030W,ON Semiconductor
