NRH3010T100MN是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛适用于各种功率转换和电源管理应用。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT)使用。
该型号特别适用于需要高效能和高可靠性的场景,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:30A
导通电阻:10mΩ
栅极电荷:45nC
开关时间:ton=98ns, toff=47ns
结温范围:-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻确保了较高的效率和较低的功耗。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用。
3. 具备出色的热稳定性和耐用性,能够承受较大的瞬态电流冲击。
4. 封装设计紧凑,易于集成到现代PCB布局中。
5. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 各类电机驱动控制电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护。
5. 电信和工业设备中的负载开关。
6. 多种汽车电子应用,如电动助力转向系统(EPS)和制动系统。
IRFZ44N, FDP55N10, SI4446DY