时间：2025/6/5 21:45:18
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NRH3010T100MN是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛适用于各种功率转换和电源管理应用。其封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT）使用。
该型号特别适用于需要高效能和高可靠性的场景，例如DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻：10mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=98ns, toff=47ns
结温范围：-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻确保了较高的效率和较低的功耗。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用。
3. 具备出色的热稳定性和耐用性，能够承受较大的瞬态电流冲击。
4. 封装设计紧凑，易于集成到现代PCB布局中。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 各类电机驱动控制电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电保护。
5. 电信和工业设备中的负载开关。
6. 多种汽车电子应用，如电动助力转向系统（EPS）和制动系统。
IRFZ44N, FDP55N10, SI4446DY
