类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：30A（每芯片）
　　非重复峰值浪涌电流（IFSM）：150A（8.3ms单半波）
　　正向压降（VF）：典型值0.54V，最大值0.62V（在30A, TJ=25°C条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大3.0mA（在30V, TJ=25°C）；高温下可达200μA（TJ=125°C）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
　　储存温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
　　热阻（RθJC）：约1.0°C/W（芯片到外壳）
　　封装：TO-277B / D2PAK（表面贴装）

SBL3030PT的核心优势在于其优异的电学性能和热管理能力。该器件采用先进的平面工艺制造，形成低势垒高度的金属-半导体结，从而实现了极低的正向导通压降。在30A的工作电流下，典型VF仅为0.54V，显著低于传统快恢复二极管甚至部分同类肖特基产品。这种低VF特性直接转化为更低的导通损耗，对于提升电源系统的转换效率至关重要，尤其是在低压大电流输出的同步整流架构中，能够有效减少发热，延长系统寿命。
　　该器件具备出色的动态响应能力，由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间几乎可以忽略不计（trr < 10ns）。这一特性使其非常适合高频开关应用，例如在MHz级工作的DC-DC变换器中作为续流二极管使用时，能大幅降低开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），从而简化滤波电路设计。同时，快速的开关行为也避免了与主开关管产生严重的反向恢复电流尖峰，提升了系统的稳定性和安全性。
　　在热设计方面，SBL3030PT采用了低热阻封装技术，确保热量能够高效地从PN结传导至PCB焊盘或散热器。其RθJC约为1.0°C/W，在满载工作条件下仍可维持较低的结温升幅。此外，器件支持大电流连续工作，且在高温环境下仍保持稳定的电气参数表现。例如，在结温达到125°C时，反向漏电流仍控制在合理范围内（≤200μA），不会引发热失控风险。这种宽温域下的可靠性使其适用于恶劣工业环境或密闭高功率密度设备。
　　封装上，TO-277B是一种小型化的表面贴装封装，相比传统的TO-220或TO-247更节省PCB空间，适合自动化贴片生产。引脚布局合理，便于布线和散热设计。同时，该封装具备良好的机械强度和抗热循环能力，能够在多次回流焊过程中保持结构完整性。SBL3030PT还通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环等，确保批量使用的品质一致性。

SBL3030PT广泛应用于各类需要高效整流和低损耗续流功能的电力电子系统中。典型应用包括：开关模式电源（SMPS）中的输出整流级，特别是在多相VRM（电压调节模块）架构中作为同步整流的辅助二极管；DC-DC降压/升压转换器中的续流二极管，用于在开关关断期间维持电感电流连续性；太阳能微逆变器中的防反接与旁路保护电路；以及电机驱动器和UPS系统中的箝位与自由轮功能。
　　在通信电源领域，SBL3030PT常用于48V转12V或12V转5V/3.3V的中间母线转换器（IBC）中，承担大电流整流任务。其低VF和高效率特性有助于满足日益严苛的能源之星和80 PLUS认证要求。在服务器和数据中心电源模块中，该器件可用于POL（Point-of-Load）转换器前端，提供快速响应和低噪声的整流路径。
　　此外，SBL3030PT也适用于汽车电子系统，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）中的保护电路。尽管其额定电压仅为30V，限制了在高压总线上的直接使用，但在48V轻混系统中仍具有重要价值。工业控制设备、LED驱动电源和消费类高功率适配器也是其常见应用场景。凭借高可靠性与紧凑尺寸，SBL3030PT成为现代高密度电源设计的理想选择之一。

SBF3030PT
　　MBR3030PT
　　STPS30M30CT
　　VS-30CPQ030