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SBL2050PT 发布时间 时间:2025/12/26 12:41:43 查看 阅读:11

SBL2050PT是一款高性能的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用SBL封装(Surface Mount Bridge Long Lead),属于大电流、低压降整流器件,广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及交流适配器等电力电子系统中。该器件由两个独立的肖特基二极管构成中心抽头结构,常用于全波整流电路中,特别适合高频工作环境下的高效能需求。SBL2050PT以其低正向压降、高反向击穿电压和优良的热稳定性著称,能够在高温和高负载条件下保持稳定性能。其表面贴装封装形式便于自动化装配,提高生产效率并增强散热能力,适用于紧凑型高功率密度设计。
  SBL2050PT的额定平均整流电流可达20A,峰值重复反向电压为50V,表明其适用于低电压、大电流输出的应用场景,如12V或24V直流输出的电源系统。该器件通常制造于先进的平面工艺技术,并通过金硅合金形成肖特基接触,有效降低导通损耗。同时,该器件具备较低的反向漏电流,在高温环境下仍能维持较好的能效表现。由于其封装具有良好的机械强度和耐湿性,符合RoHS环保标准,适用于工业级和消费类电子产品中的可靠整流解决方案。

参数

型号:SBL2050PT
  类型:双二极管中心抽头(全波整流)
  封装:SBL
  平均整流电流:20A
  峰值重复反向电压:50V
  最大正向压降:0.58V @ 10A, 25°C
  非重复峰值浪涌电流:60A
  反向漏电流:0.5mA @ 50V, 25°C
  工作结温范围:-65°C 至 +175°C
  存储温度范围:-65°C 至 +175°C
  引脚数:3
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

SBL2050PT的核心优势在于其低正向导通压降与高电流承载能力的结合,这使得它在高效率电源设计中表现出色。其正向压降典型值仅为0.58V左右(在10A、25°C条件下),显著低于传统PN结二极管(通常为0.7V~1.2V),从而大幅降低了导通期间的功率损耗(P_loss = V_f × I_f)。这对于需要长时间运行或对能效有严格要求的应用至关重要,例如服务器电源、通信设备电源模块以及太阳能逆变器等。此外,低Vf也有助于减少热量产生,简化散热设计,提升系统整体可靠性。
  该器件采用双二极管共阴极配置,内部连接成中心抽头结构,非常适合用于单相全波整流电路。在开关电源的次级侧整流中,这种结构可以有效利用变压器次级绕组的双向能量传输,实现更高的能量转换效率。相比使用四个独立二极管搭建桥式整流器,SBL2050PT不仅节省了PCB空间,还减少了焊接点数量,提升了组装良率和长期可靠性。
  SBL2050PT具备高达20A的平均整流电流能力,并能承受60A的非重复浪涌电流,说明其在应对瞬态负载或开机冲击电流方面具有较强的鲁棒性。这一特性使其适用于存在大启动电流或动态负载变化的系统中。同时,其最高工作结温可达+175°C,展示了出色的热稳定性,即使在恶劣的高温环境中也能安全运行。配合SBL表贴封装良好的热传导路径,可通过PCB铜箔进行有效散热,进一步延长器件寿命。
  从材料和工艺角度看,SBL2050PT基于成熟的肖特基势垒技术制造,利用金属-半导体结而非传统的P-N结,因此不存在少数载流子存储效应,反向恢复时间极短(接近零),几乎无反向恢复电荷。这一特点极大地抑制了高频开关过程中因二极管反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰(EMI),有助于提升系统的电磁兼容性(EMC)性能。因此,该器件特别适合工作频率在几十kHz到数百kHz的现代开关电源拓扑,如LLC谐振变换器、同步整流辅助电路等。

应用

SBL2050PT主要应用于需要高效、大电流整流的中低电压直流电源系统中。典型应用场景包括:开关模式电源(SMPS)中的次级侧全波整流,尤其是在12V/24V输出的AC-DC适配器、台式机电源、笔记本电源中发挥关键作用;在DC-DC转换器中作为同步整流的替代或辅助元件,提升轻载和满载效率;用于电信设备、网络交换机和基站电源模块中,确保持续稳定的电力供应;在太阳能微逆变器或储能系统的功率转换环节中实现高效的能量回收与传输;还可应用于电动工具充电器、LED驱动电源、工业控制电源等领域。由于其表面贴装封装形式,也适用于自动化程度高的SMT生产线,满足大批量制造的需求。此外,在汽车电子中的辅助电源系统(非主驱部分)也可能采用此类高可靠性整流器件,前提是工作温度在其规格范围内。

替代型号

SBF2050PT
  SBL2060PT
  MBR2050
  SS220

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SBL2050PT参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管,整流器 - 阵列
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)750mV @ 10A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1mA @ 50V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)20A
  • 电压 - (Vr)(最大)50V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型肖特基
  • 速度快速恢复 = 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件