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GA0805Y183JBABT31G 发布时间 时间:2025/6/5 10:21:18 查看 阅读:9

GA0805Y183JBABT31G 是一款基于 CMOS 工艺的高性能 8 位微控制器单元(MCU),专为低功耗和高集成度应用设计。该芯片内置了丰富的外设资源,如定时器、ADC 和 UART 等,适用于消费电子、工业控制及物联网设备等领域。
  其架构采用哈佛结构,具有较高的指令执行效率,同时支持多种工作模式以优化功耗表现。GA0805Y183JBABT31G 的主要特点是低功耗运行、宽电压范围以及强大的抗干扰能力。

参数

工作电压:1.8V - 5.5V
  工作温度:-40℃ 至 +85℃
  CPU频率:最高24MHz
  Flash存储器:8KB
  SAM存储器:512B
  I/O端口数量:16
  定时器数量:2
  ADC分辨率:10位
  UART接口:1

特性

GA0805Y183JBABT31G 具备以下显著特性:
  1. 高效的哈佛架构处理器,确保快速指令处理能力。
  2. 内置大容量 Flash 和 SRAM,满足多数嵌入式系统的需求。
  3. 支持多级休眠模式,能够显著降低系统待机功耗。
  4. 提供灵活的时钟源选择,包括内部振荡器和外部晶振。
  5. 集成了多种常用外设,例如 UART、I2C 和 SPI 接口,便于与外围设备通信。
  6. 强大的模拟功能,例如 10 位 ADC 和比较器,适合数据采集任务。
  7. 抗静电能力达到 HBM 8kV 标准,增强了在复杂环境中的可靠性。
  8. 小型封装选项,适合对空间有严格要求的应用场景。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品,如家用电器遥控器、玩具和电子秤等。
  2. 工业自动化设备,如传感器节点和小型控制器。
  3. 物联网终端,如无线模块配套主控芯片。
  4. 医疗健康设备,例如便携式血压计或血糖仪。
  5. 环境监测装置,如温湿度记录仪或气体检测仪。
  由于其出色的低功耗特性和丰富的外设资源,GA0805Y183JBABT31G 成为众多中小型嵌入式系统的理想选择。

替代型号

GA0805Y183JBABT21G
  GA0805Y183JBACT31G

GA0805Y183JBABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-